CSD95372AQ5M是德州儀器(TI)推出的基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率、高性能半橋功率�(jí)器件。它集成了一�(gè)高端和低端氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�,以及專用驅(qū)�(dòng)�,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),例如服�(wù)器電�、電信整流器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和DC-DC�(zhuǎn)換器等。該器件采用QFN封裝,具備低寄生電感和優(yōu)化的熱性能,可顯著提高系統(tǒng)的功率密度和效率�
其主要特�(diǎn)包括:低�(dǎo)通電阻(Rds(on))、快速開(kāi)�(guān)速度、較低的柵極電荷以及�(nèi)置的自舉二極管,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并減少了外圍元件的數(shù)��
型號(hào):CSD95372AQ5M
類型:半橋功率級(jí)
技�(shù):GaN(氮化鎵�
封裝:QFN-10
工作電壓范圍�10V - 60V
高端Rds(on)�8.5mΩ(典型值,@Vgs=6V�
低端Rds(on)�4.5mΩ(典型�,@Vgs=6V�
最大漏源電壓(Vds):100V
最高工作溫度:150°C
柵極�(qū)�(dòng)電壓范圍�4.5V - 6V
連續(xù)漏極電流(Id):20A(典型值)
CSD95372AQ5M具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高效的氮化鎵技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的開(kāi)�(guān)頻率和更低的損耗�
2. �(nèi)置自舉二極管,減少了外部元件的需�,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
3. �(yōu)化的QFN封裝,提供低寄生電感和出色的散熱性能�
4. 半橋�?fù)浣Y(jié)�(gòu),適合各種高頻DC-DC�(zhuǎn)換應(yīng)��
5. 極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,有助于降低傳導(dǎo)和開(kāi)�(guān)損��
6. 支持高達(dá)150°C的工作溫�,增�(qiáng)了器件在高溫�(huán)境下的可靠性�
這些特性使得CSD95372AQ5M成為高效電源系統(tǒng)中的理想選擇�
CSD95372AQ5M適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電信整流器和基站電源�
3. 高頻諧振�(zhuǎn)換器,如LLC或CLLC�?fù)�?br> 4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
5. 高功率密度AC-DC適配��
6. 電動(dòng)汽車充電站和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
由于其高效率和高頻性能,這款器件非常適合需要小尺寸和高功率密度的設(shè)�(jì)�
CSD95373KCS
CSD95371KCS
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