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CUS08F30H3F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:36:52 查看 閱讀�19

CUS08F30H3F 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,屬� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。它采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)注重提高性能的同�(shí)兼顧成本效益,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)域�

參數(shù)

型號(hào):CUS08F30H3F
  類型:N 溝道 MOSFET
  額定電壓(Vds)�30V
  額定電流(Id)�80A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型��25℃)
  柵極電荷(Qg)�47nC(最大值)
  輸入電容(Ciss)�1680pF(典型值)
  輸出電容(Coss)�140pF(典型值)
  反向傳輸電容(Crss)�80pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

CUS08F30H3F 具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗,提高整體能效�
  2. 高額定電� Id 能夠適應(yīng)更廣泛的�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)速度得益于較小的柵極電荷 Qg,從而降低了開關(guān)損耗�
  4. 寬泛的工作溫度范圍使其在極端�(huán)境條件下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小巧封裝�(shè)�(jì)節(jié)� PCB 空間,便于高密度布局�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料確保符合國(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

CUS08F30H3F 可以廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主功率開�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制元件�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器和手�(jī)充電器中的功率調(diào)節(jié)組件�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��

替代型號(hào)

CUS08F30H3G, CUS08F30H3D

cus08f30h3f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)