LMUN5114T1G 時(shí)間：2025/5/12 21:49:48 閱讀：25

LMUN5114T1G 是一款由 Texas Instruments（德州儀器）推出的高性能 N 灃道開(kāi)關(guān) MOSFET 功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性，適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為 SON（小外形無(wú)引腳），能夠有效節(jié)省 PCB 空間并提高散熱性能。
　　該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流電路以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用中。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：2.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷：6nC（典型值）
　　總功耗：790mW
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
　　封裝形式：SON-4

特性

LMUN5114T1G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，可以減少傳導(dǎo)損耗，從而提升整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，得益于其較小的柵極電荷，可降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 小型封裝設(shè)計(jì)（SON-4），適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
　　4. 高電流承載能力，支持高達(dá) 2.8A 的連續(xù)漏極電流。
　　5. 寬工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。

應(yīng)用

LMUN5114T1G 可用于多種電子電路設(shè)計(jì)，包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換。
　　2. 同步整流電路，以提高效率并降低熱量產(chǎn)生。
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于電壓調(diào)節(jié)和管理。
　　4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)，用于動(dòng)態(tài)控制不同負(fù)載的供電狀態(tài)。
　　5. 電池供電設(shè)備中的功率管理模塊。
　　6. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件。