LMUN5114T1G 是一款由 Texas Instruments(德州儀器)推出的高性能 N 灃道開(kāi)關(guān) MOSFET 功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性,適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為 SON(小外形無(wú)引腳),能夠有效節(jié)省 PCB 空間并提高散熱性能。
該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流電路以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用中。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:2.8A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):,在 Vgs=10V 時(shí))
柵極電荷:6nC(典型值)
總功耗:790mW
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
封裝形式:SON-4
LMUN5114T1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以減少傳導(dǎo)損耗,從而提升整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷,可降低開(kāi)關(guān)損耗。
3. 小型封裝設(shè)計(jì)(SON-4),適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
4. 高電流承載能力,支持高達(dá) 2.8A 的連續(xù)漏極電流。
5. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
LMUN5114T1G 可用于多種電子電路設(shè)計(jì),包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
2. 同步整流電路,以提高效率并降低熱量產(chǎn)生。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和管理。
4. 負(fù)載開(kāi)關(guān),用于動(dòng)態(tài)控制不同負(fù)載的供電狀態(tài)。
5. 電池供電設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件。
LMUN5114DBV, LMUN5114DKA