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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > D6PE2G132P3DWBZ

D6PE2G132P3DWBZ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:18:27 查看 閱讀�32

D6PE2G132P3DWBZ 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,采用 TO-263 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他功率�(zhuǎn)換電路中。其�(shè)�(jì)旨在提供高效率和低導(dǎo)通電�,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)性能�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,具備快速開�(guān)特性和低柵極電�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。此�,它還具有出色的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD 保護(hù)�,能夠適�(yīng)�(yán)苛的工作條件�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-263
  VDS(漏源極電壓):100V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�132mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):45A
  Qg(總柵極電荷):38nC
  fT(截止頻率)�1.7MHz
  VGS(th)(柵源開啟電壓)�2V~4V
  Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55℃~175�

特�

D6PE2G132P3DWBZ 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于降低傳導(dǎo)損�,提升整體效��
  2. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電� Qg 和較高的 fT ��
  3. 高度可靠的設(shè)�(jì),支持高�(dá) 175� 的結(jié)溫操��
  4. 提供�(qiáng)大的過流能力和穩(wěn)健的電氣性能,確保在各種�(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了產(chǎn)品的耐用��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑管��
  6. 汽車電子中的繼電器替代方案�
  7. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

D6PE2G132P3DWBT, IRFZ44N, FDP18N10

d6pe2g132p3dwbz推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

d6pe2g132p3dwbz�(chǎn)�

d6pe2g132p3dwbz參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�6,000�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �16.22000剪切帶(CT�3,000 : �6.70076卷帶(TR�
  • 系列D6
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • 類型雙工�
  • 頻帶(低/高)1GHz ~ 5GHz / -
  • 低頻帶衰減(最�/最� dB�- / 55.00dB
  • 高頻帶衰減(最�/最� dB�- / 50.00dB
  • 回波損耗(低頻�/高頻帶)-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼9-SMD,無引線