D6PF1G960M3B9-Z 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動等場景。該器件采用了先進的制程技�(shù),具備低導通電阻、快速開�(guān)速度和高耐壓能力等特�,廣泛適用于工業(yè)控制、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)域�
此型號屬� N 溝道增強� MOSFET,其封裝形式� TO-247,能夠提供卓越的散熱性能和電氣特��
最大漏源電壓:960V
最大連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻(典型值)�0.3Ω
柵極電荷�85nC
輸入電容�1600pF
總功耗:150W
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓高� 960V,適合高壓應用場��
2. 極低的導通電阻(典型值為 0.3Ω�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)特�,柵極電荷僅� 85nC,確保在高頻條件下高效運行�
4. 工作溫度范圍寬廣�-55� � 175℃),能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 封裝采用 TO-247,具備良好的散熱性能,可滿足大功率應用需��
6. 出色的電氣穩(wěn)定�,適用于各種嚴苛的工�(yè)和汽車環(huán)境�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. 逆變器和電機�(qū)動電��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
4. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理與保護�
5. 高壓負載切換和電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 大功� LED �(qū)動和電信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)電路�
D6PF1G960M3B7-Y, IRFP260N, STP10NK90Z