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MUN5131DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/3/31 10:52:44 查看 閱讀:914

產(chǎn)品種類(lèi): 數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):數(shù)字晶體管

配置:Dual

晶體管極性:PNP

典型輸入電阻器:2.2 KOhm

典型電阻器比率:1

封裝 / 箱體:SC-70-6

直流電流增益 hFE 最小值:8 @ 5 mA @ 10 V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V

集電極連續(xù)電流:- 0.1 A

峰值直流集電極電流:100 mA

功率耗散:250 mW

最大工作溫度:+ 150℃

封裝:Reel

最小工作溫度:- 55℃

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

mun5131dw1t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

mun5131dw1t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)型2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)2.2k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)8 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 5mA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)