DMHC3025LSD 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 封裝形式。該器件主要用于開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動以及負載開關等應用場合。其低導通電阻和高開關速度特性使� DMHC3025LSD 在效率和性能方面表現(xiàn)出色�
該器件為 N 溝道增強� MOSFET,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的導通狀�(tài),適用于中低壓應用場��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�18nC
輸入電容�970pF
總功耗:45W
工作結溫范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-252
DMHC3025LSD 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,可有效降低導通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能力,能夠滿足高頻開關電路的需��
3. 較小的柵極電荷,有助于降低驅動損��
4. �(wěn)定的電氣性能,在寬溫度范圍內(nèi)保持良好的一致性�
5. 可靠性高,適合工�(yè)級及消費類電子應��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
DMHC3025LSD 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源中的同步整流電路�
2. DC-DC 轉換器中的功率開��
3. 電機驅動電路中的橋式臂開關�
4. 各類負載開關及保護電��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 消費電子�(chǎn)品中的電源管理單��
IRF3205
FDP15N10
STP16NF06L