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DMHC3025LSD 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:36:48 查看 閱讀�23

DMHC3025LSD 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 封裝形式。該器件主要用于開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動以及負載開關等應用場合。其低導通電阻和高開關速度特性使� DMHC3025LSD 在效率和性能方面表現(xiàn)出色�
  該器件為 N 溝道增強� MOSFET,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的導通狀�(tài),適用于中低壓應用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�25A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�18nC
  輸入電容�970pF
  總功耗:45W
  工作結溫范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252

特�

DMHC3025LSD 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電�,可有效降低導通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開關能力,能夠滿足高頻開關電路的需��
  3. 較小的柵極電荷,有助于降低驅動損��
  4. �(wěn)定的電氣性能,在寬溫度范圍內(nèi)保持良好的一致性�
  5. 可靠性高,適合工�(yè)級及消費類電子應��
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��

應用

DMHC3025LSD 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源中的同步整流電路�
  2. DC-DC 轉換器中的功率開��
  3. 電機驅動電路中的橋式臂開關�
  4. 各類負載開關及保護電��
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
  6. 消費電子�(chǎn)品中的電源管理單��

替代型號

IRF3205
  FDP15N10
  STP16NF06L

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