DMN2025U是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,由Diodes Incorporated生產(chǎn)。該器件采用微型DFN1006-3L封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于便攜式�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、同步整流器以及電源管理電路等應(yīng)用。其小尺寸設(shè)計使其非常適合空間受限的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�45mΩ
柵極電荷�3nC
工作溫度范圍�-55°C�150°C
DMN2025U的主要特性包括:
1. 超低的導(dǎo)通電阻使得功率損耗最小化,從而提高了效率�
2. 快速開�(guān)性能有助于減少開�(guān)損�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
3. 小型DFN1006-3L封裝節(jié)省了PCB空間,簡化了布局�(shè)��
4. 高度可靠的電氣性能,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
DMN2025U廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān),例如智能手機和平板電腦�
2. 電池供電�(shè)備中的電源管理模塊�
3. 各種DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
4. 電機�(qū)動和信號切換電路�
5. 保護電路,如過流保護和短路保��
DMN2025UFQ, DMN2026U, DMN2026UFQ