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NTD20N03L27T4G
時間�2023/4/13 10:55:35
閱讀�623
概述
源漏極間雪崩電壓VBR(V)�30
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ)�27
最大漏極電流Id(on)(A)�20
通道極性:N溝道
封裝/溫度(�):DPAK 4/-55 ~150
描述�20 A, 30 V功率MOSFET
ntd20n03l27t4g推薦供應�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
ntd20n03l27t4g參數(shù)
- 標準包裝2,500
- 類別分離式半導體�(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列-
- FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫歐 @ 10A�5V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs18.9nC @ 10V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds1260pF @ 25V
- 功率 - 最�1.75W
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封�DPAK-3
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱NTD20N03L27T4GOSTR