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NTD20N03L27T4G 發(fā)布時間 時間：2023/4/13 10:55:35 查看 閱讀：623

NTD20N03L27T4G技術參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)：30

源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ)：27

最大漏極電流Id(on)(A)：20

通道極性：N溝道

封裝/溫度(℃)：DPAK 4/-55 ~150

描述：20 A, 30 V功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

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ntd20n03l27t4g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C27 毫歐 @ 10A，5V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs18.9nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1260pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商設備封裝DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD20N03L27T4GOSTR