時間：2025/5/19 14:35:22
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DMN2041UFDB是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET功率晶體管，采用MicroFET封裝技術。該器件適用于低電壓、高效率的應用場景，具有較低的導通電阻和快速開關特性。它通常用于消費類電子設備中的負載開關、DC-DC轉換器、電池管理電路以及各種便攜式設備中。
型號：DMN2041UFDB
品牌：Diodes Incorporated
類型：N溝道增強型MOSFET
Vds（漏源極擊穿電壓）：30V
Rds(on)（導通電阻）：6.5mΩ（典型值，在Vgs=4.5V時）
Id（持續(xù)漏電流）：4.7A
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：1.2V（典型值）
封裝形式：SOT-363（DFN1010-3）
工作溫度范圍：-55℃至150℃
DMN2041UFDB是一款小型表面貼裝功率MOSFET，其主要特性包括：
1. 極低的導通電阻Rds(on)，能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能，支持高頻應用場合，例如DC-DC轉換器和負載開關。
3. 小尺寸封裝（SOT-363），非常適合空間受限的設計環(huán)境。
4. 寬工作溫度范圍，使其能夠在嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定運行。
5. 高靜電防護能力（HBM ESD >2kV），提高了器件的可靠性。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛工藝。
DMN2041UFDB通過優(yōu)化設計，實現(xiàn)了高性能與小體積的結合，適合現(xiàn)代電子產品對高效能和緊湊設計的需求。
DMN2041UFDB廣泛應用于以下領域：
1. 消費類電子產品中的負載開關和電源管理。
2. 移動設備及便攜式設備的電池保護和充電控制。
3. 各種降壓和升壓DC-DC轉換器電路。
4. 電機驅動和信號切換。
5. LED驅動和背光調節(jié)。
由于其出色的電氣特性和緊湊封裝，DMN2041UFDB成為眾多低功率、高效率應用場景的理想選擇。
DMN2040UFDB
DMN2042UFDB
BSS138
FDS2543
