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DS1245Y-100IND+ 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 14:49:15 查看 閱讀:20

DS1245Y 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (NVSRAM)。該芯片集成了一個 SRAM 和一個微控制器單元,能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的高速讀寫和斷電后的數(shù)據(jù)保存功能。DS1245Y 支持 I2C 接口,并具有低功耗特性,非常適合需要頻繁訪問內(nèi)存且要求數(shù)據(jù)持久性的應(yīng)用。
  DS1245Y-100IND+ 是 DS1245Y 的工業(yè)級版本,能夠在更寬的工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行,確保在惡劣環(huán)境下的可靠性。

參數(shù)

存儲容量:32K x 8 bits
  工作電壓:1.8V 至 5.5V
  I2C 總線速度:標(biāo)準(zhǔn)模式(100kHz)、快速模式(400kHz)
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝類型:SOIC-8
  數(shù)據(jù)保存時間:超過10年(典型值)
  寫入周期:小于5ms

特性

DS1245Y 具有以下顯著特性:
  1. 集成 NVSRAM 技術(shù),提供 SRAM 的高速性能和 EEPROM 的非易失性功能。
  2. 內(nèi)置電源管理電路,支持自動切換至備用電池供電以保護(hù)數(shù)據(jù)。
  3. 支持標(biāo)準(zhǔn)和快速模式 I2C 接口,兼容多種主控設(shè)備。
  4. 極低的待機(jī)功耗,延長電池壽命。
  5. 工業(yè)級溫度范圍,適用于各種嚴(yán)苛環(huán)境。
  6. 數(shù)據(jù)保存時間長,保證長時間斷電后數(shù)據(jù)完整性。
  7. 小型封裝設(shè)計(jì),便于嵌入式系統(tǒng)集成。

應(yīng)用

DS1245Y 廣泛應(yīng)用于需要高可靠性和數(shù)據(jù)持久性的領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 工業(yè)自動化控制設(shè)備中的數(shù)據(jù)記錄與配置保存。
  2. 醫(yī)療設(shè)備的數(shù)據(jù)日志存儲。
  3. 儀表設(shè)備中的校準(zhǔn)參數(shù)和歷史數(shù)據(jù)保存。
  4. 智能電表和其他電力監(jiān)控系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)存儲。
  5. 嵌入式系統(tǒng)中關(guān)鍵狀態(tài)信息的備份和恢復(fù)。
  6. 航空航天和軍事領(lǐng)域的關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)存儲。
  其優(yōu)異的性能和可靠性使得它成為許多高性能系統(tǒng)的理想選擇。

替代型號

DS1245Z-100IND+, DS1245L-100IND+

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