DMN3024LSD是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用SOT23-3封裝形式,具有低導通電阻和快速開關能力。它廣泛適用于消費電�、工�(yè)控制和電源管理等應用領域。其小型化封裝使其成為對空間敏感設計的理想選��
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�2.9A
導通電�(R_DS(on))�85mΩ (在V_GS=10V�)
總功�(P_TOT)�470mW
工作結溫范圍(T_J)�-55℃至+150�
封裝類型:SOT23-3
DMN3024LSD是一款高性能的N溝道增強型MOSFET,其主要特點包括�
1. 極低的導通電阻R_DS(on),能夠在高電流應用中降低功耗并提高效率�
2. 小型化的SOT23-3封裝適合于空間受限的設計場景�
3. 快速開關性能使得該器件非常適合高頻電源轉換應��
4. 寬范圍的工作溫度區(qū)間(-55℃至+150℃),確保在極端�(huán)境下依然保持�(wěn)定運��
5. 具備較高的漏源電壓(60V)耐受能力,適應多種電路需��
DMN3024LSD由于其卓越的電氣特性和緊湊的封裝尺�1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC/DC轉換器中的功率開��
3. 負載開關和電池保護電��
4. 消費類電子產品中的信號切換�
5. 各種工業(yè)控制設備中的驅動電路�
6. 電機驅動和LED驅動電路�
DMN2024USFG, DMN2992LSD