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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3032LFDBWQ

DMN3032LFDBWQ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 21:33:23 查看 閱讀�24

DMN3032LFDBWQ是一款來(lái)自Diodes Incorporated的MOSFET器件,具體為P溝道邏輯電平MOSFET。該器件采用DFN1610-8封裝形式,具有較小的體積和出色的電氣性能,適合用于各種便攜式�(shè)備和空間受限的應(yīng)用場(chǎng)�。它主要�(yīng)用于�(fù)載開(kāi)�(guān)、電源管理模塊、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池供電�(shè)備等�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.2A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�95mΩ(在Vgs=-4.5V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�7nC
  總熱�(�(jié)至環(huán)�)�120°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � 150°C

特�

DMN3032LFDBWQ具備較低的導(dǎo)通電阻Rds(on),這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功耗并提高效率�
  其小尺寸DFN1610-8封裝非常適合空間有限的設(shè)�(jì),同�(shí)提供卓越的散熱性能�
  該器件具有較快的�(kāi)�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需��
  由于其邏輯電平驅(qū)�(dòng)能力,在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下即可實(shí)�(xiàn)完全�(kāi)啟,�(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并降低了系統(tǒng)�(fù)雜度�
  此外,DMN3032LFDBWQ還具有較高的靜電放電(ESD)防�(hù)能力和可靠�,確保其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子�(lǐng)域中的負(fù)載開(kāi)�(guān)功能,例如智能手�(jī)和平板電��
  適用于各�(lèi)電池供電�(chǎn)品中的電源路徑管理�
  可用于多相DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
  也可作為保護(hù)�(kāi)�(guān)使用,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)等功能模塊中�

替代型號(hào)

DMN3031SFDBQ
  PSMN0R9-30PL
  IRLML6402

dmn3032lfdbwq推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)