DMN63D8L是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用超小型DFN2020-8封裝,非常適合空間受限的�(yīng)用場景。DMN63D8L具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款MOSFET適用于多種消費電�、工�(yè)控制和通信�(shè)備中的負載切換、同步整流以及DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻:75mΩ
柵極電荷�4nC
工作溫度范圍�-55� to 150�
DMN63D8L采用了先進的制造工藝以實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體能效。其緊湊的DFN2020-8封裝不僅節(jié)省了PCB面積,還增強了散熱性能。此�,該器件具備出色的熱�(wěn)定性和電氣可靠性,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的工作狀�(tài)�
它支持快速開�(guān)操作,適合高頻應(yīng)用場�,并且擁有較低的輸入和輸出電�,進一步優(yōu)化了開關(guān)性能。DMN63D8L的設(shè)計符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
DMN63D8L廣泛�(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦及可穿戴設(shè)備中的電源管理模塊。同�,在固態(tài)硬盤(SSD�、USB接口保護電路、電池管理系�(tǒng)等領(lǐng)域也有著重要用��
在工�(yè)�(lǐng)域,它可以用于電機驅(qū)�、繼電器替代方案以及各種形式的開�(guān)�(diào)節(jié)器中。另�,由于其卓越的性能表現(xiàn),DMN63D8L還被推薦用作信號路徑上的保護元件�
DMN63D8L-13, DMN6048L, DMN6048L-13