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DMP3030SN-7 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 23:27:54 查看 閱讀:7

DMP3030SN-7 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),采用 SOT-23 封裝形式。該器件適用于各種低電壓、高效率的應用場景,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  這款 MOSFET 通常被用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域,尤其適合驅動負載電流較小的電路,例如便攜式設備中的電源管理模塊。

參數

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  持續(xù)漏極電流:1.4A
  導通電阻:0.65Ω
  總電容:3.5pF
  功耗:0.56W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

DMP3030SN-7 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻,有助于降低傳導損耗,從而提升整體效率。
  2. 快速開關能力,確保在高頻條件下仍能保持高效性能。
  3. 高靜電防護能力(ESD),提高了器件的可靠性。
  4. 緊湊的 SOT-23 封裝設計,節(jié)省了 PCB 空間,非常適合空間受限的應用。
  5. 支持寬范圍的工作溫度,適應多種惡劣環(huán)境條件。

應用

DMP3030SN-7 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 電池保護電路,如鋰電池管理系統(tǒng)。
  3. DC-DC 轉換器中的開關元件。
  4. 電機驅動和負載開關。
  5. 各種消費類電子產品中的信號切換與功率管理。
  由于其低導通電阻和小型封裝,該器件特別適合對效率和尺寸要求較高的場合。

替代型號

DMN2990UFH, Si2302DS, FDN327N

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dmp3030sn-7參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C700mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 400mA,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds160pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝SC-59-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMP3030SNDITR