DMP31D1UDW是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率轉換和負載開關應�。其封裝形式為SOT-26,能夠有效節(jié)省電路板空間并提高散熱性能�
這種MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的動態(tài)性能和較低的柵極電荷,這使得它在高頻開關應用中表現出色。此外,DMP31D1UDW還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在嚴苛的工作條件下長期運行�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.8A
導通電阻(典型值)�0.075Ω
柵極電荷�4nC
開關頻率:高�5MHz
工作結溫范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導通電�,有助于降低傳導損�,提升系統效��
2. 高速開關能�,適合高頻DC-DC轉換器和負載開關應用�
3. 小型SOT-26封裝,便于PCB布局設計,同時提供良好的散熱性能�
4. 內部防靜電保護設�,增強了器件的魯棒��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足現代電子產品的合�(guī)性要��
1. 手機和平板電腦中的電源管理模塊�
2. 便攜式電子設備的負載開關�
3. DC-DC轉換器和開關電源中的功率級開��
4. LED驅動器和背光控制�
5. 各類消費類電子產品中的信號切換和保護電路�
DMG31D1UDW, DMP3009UFG, BSS138