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DMT35M8LDG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 16:17:25 查看 閱讀:34

DMT35M8LDG 是一款 N 灃道通態(tài) MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于需要高效能開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用邏輯電平驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),能夠以較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)高效的導(dǎo)通性能。
  DMT35M8LDG 使用先進(jìn)的制造工藝,在確保低 Rds(on) 的同時(shí)具備出色的熱性能和電氣特性。它廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

參數(shù)

型號(hào):DMT35M8LDG
  類型:N 沭道 MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  VDS(漏源電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ(典型值,VGS=10V 時(shí))
  VGS(柵源電壓):±20V
  IDS(連續(xù)漏極電流):16A
  Ptot(總功耗):27W
  fSW(切換頻率):支持高達(dá) 2MHz 的高頻應(yīng)用
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

DMT35M8LDG 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 邏輯電平驅(qū)動(dòng)兼容性,允許使用較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓(如 5V 或 10V),簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
  3. 高頻性能優(yōu)越,適合高頻開關(guān)應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流。
  4. 封裝形式為 TO-252 (DPAK),具有良好的散熱性能。
  5. 提供寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 高可靠性設(shè)計(jì),符合嚴(yán)格的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和質(zhì)量要求。

應(yīng)用

DMT35M8LDG 主要用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件。
  2. 同步整流電路,提升轉(zhuǎn)換效率。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路,提供高效功率輸出。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制。
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
  7. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)高亮度調(diào)節(jié)功能。

替代型號(hào)

DMT35M8LPG, DMT35M8LDGQ, DMT35M8LPGQ

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