時間：2025/5/22 23:00:22
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DMT3N4R2U224M3DTA0 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），具有出色的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻特性。該器件廣泛應(yīng)用于高頻、高效能的電力轉(zhuǎn)換場景，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源適配器以及充電器等應(yīng)用中。
其設(shè)計旨在提供更高的功率密度和效率，同時減小系統(tǒng)尺寸和重量，是現(xiàn)代電力電子設(shè)計的理想選擇。
型號：DMT3N4R2U224M3DTA0
類型：增強型 GaN HEMT
最大漏源電壓（Vds）：650 V
最大柵源電壓（Vgs）：±6 V
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：45 mΩ（典型值）
連續(xù)漏極電流（Id）：12 A
開關(guān)頻率：最高支持 5 MHz
封裝形式：TO-220 封裝
DMT3N4R2U224M3DTA0 擁有以下顯著特性：
1. 高效的氮化鎵技術(shù)，提供比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的功率密度和更低的能量損耗。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 支持高頻操作，可減少無源元件的體積和數(shù)量，從而優(yōu)化整體系統(tǒng)成本。
4. 具備快速開關(guān)能力，適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)。
5. 內(nèi)置保護功能（如過溫保護和短路保護），確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。
該芯片主要應(yīng)用于需要高效率和高頻工作的場景中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）及 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 高效充電器和適配器設(shè)計，如快充設(shè)備。
3. 電機驅(qū)動與逆變器電路。
4. 太陽能微型逆變器及其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
5. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電單元以及其他工業(yè)級電力管理系統(tǒng)。
由于其卓越的性能，它非常適合用于追求緊湊型設(shè)計和高性能指標(biāo)的應(yīng)用場合。
DMT3N650U224M3DTA0, DMT3N60R2U224M3DTA0
