DMT6010LSS是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于高效功率開(kāi)�(guān)器件。該芯片�(shè)�(jì)用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)用,例如�(shù)�(jù)中心電源、通信基站電源和工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�。其采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具備出色的散熱性能和電氣特�,可顯著提高系統(tǒng)的功率密度和可靠性�
DMT6010LSS在高頻條件下仍能保持較低的導(dǎo)通電�,從而減少能量損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,它還支持快速開(kāi)�(guān)操作,適合需要高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):DMT6010LSS
�(lèi)型:增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 (HEMT)
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:600 V
最大連續(xù)漏極電流�10 A
�(dǎo)通電阻:8 mΩ(典型值)
柵極電荷�50 nC(最大值)
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因�(wú)體二極管�
工作溫度范圍125°C
封裝形式:LFPAK56D
DMT6010LSS的核心優(yōu)�(shì)在于其氮化鎵材料的使�,提供了以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓:600V的額定電壓使其能夠適�(yīng)高壓�(huán)境下的開(kāi)�(guān)�(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:�8mΩ的典型導(dǎo)通電阻可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:極低的柵極電荷與輸出電荷確保了高速開(kāi)�(guān)操作,減少了�(kāi)�(guān)損��
4. �(wú)反向恢復(fù)損耗:由于�(méi)有體二極�,因此避免了與傳�(tǒng)硅MOSFET相關(guān)的反向恢�(fù)�(wèn)��
5. 熱性能�(yōu)異:通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),芯片具有良好的熱管理能�,適用于�(zhǎng)�(shí)間高�(fù)載運(yùn)行�
6. 小尺寸高集成度:相比傳統(tǒng)硅基器件,GaN器件在實(shí)�(xiàn)相同功能�(shí)體積更小,有助于減小整體方案尺寸�
DMT6010LSS主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS):包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器,特別適合于高頻軟開(kāi)�(guān)�?fù)�?br> 2. �(shù)�(jù)中心電源:提供高效的功率�(zhuǎn)換以�(mǎn)足服�(wù)器和其他IT�(shè)備的需��
3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:�5G基站電源模塊,要求高效率和高功率密度�
4. 工業(yè)自動(dòng)化:用作電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)組件,支持精確的速度和扭矩控��
5. 光伏逆變器:利用其高頻特性提升MPPT跟蹤效率,同�(shí)縮小濾波器尺��
6. 汽車(chē)電子:潛在的�(yīng)用包括車(chē)載充電器(OBC)和DC-DC�(zhuǎn)換器,需�(mǎn)足AEC-Q101�(rèn)證后方可大規(guī)模部��
DMT6012LSS
GAN063-650WSA
EPC2020