DS1220Y-120 � Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices, Inc.)生�(chǎn)的一款雙極�、低功��8 � CMOS 靜態(tài) RAM(SRAM),帶有非易失性存�(chǔ)功能。它�(jié)合了 SRAM 的快速存取特性和 EEPROM 的非易失性數(shù)�(jù)保存能力,適用于需要電池備份或頻繁寫入的應(yīng)用場(chǎng)��
該芯片采� NMOS 工藝制造,�(nèi)置一�(gè)鋰電池用于數(shù)�(jù)保持,在斷電�(shí)可以� SRAM �(shù)�(jù)保存到非易失性存�(chǔ)器中。此�,DS1220Y-120 提供了一�(gè)備用電源輸入引腳(Vbat�,以確保在主電源失效�(shí)能夠繼續(xù)維持?jǐn)?shù)�(jù)完整性�
存儲(chǔ)容量�8K x 8 bits (64Kb)
工作電壓�3V � 5.5V
待機(jī)電流:小� 2μA(典型值)
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:10 年(使用�(nèi)部鋰電池�
封裝形式�28 引腳 DIP、SOIC
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
訪問(wèn)�(shí)間:70ns(最大值)
1. �(nèi)置鋰電池,可�(shí)�(xiàn)�(shù)�(jù)的非易失性存�(chǔ)�
2. 雙電源輸入(Vcc � Vbat�,支持主電源和備用電源切換�
3. 高速讀寫性能,適合實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄�(yīng)��
4. 超低功耗設(shè)�(jì),非常適合便攜式�(shè)��
5. 提供硬件寫保�(hù)功能,防止意外數(shù)�(jù)丟失�
6. 支持字節(jié)�(jí)隨機(jī)訪問(wèn),無(wú)需分塊擦除操作�
7. 具備自動(dòng)�(shù)�(jù)保存功能,可在掉電時(shí)迅速將 SRAM �(shù)�(jù)�(zhuǎn)移到非易失性存�(chǔ)區(qū)��
DS1220Y-120 常用于以下領(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng):如工業(yè)控制�、醫(yī)療儀器等需要頻繁記錄和保存�(shù)�(jù)的場(chǎng)��
2. �(jì)量設(shè)備:例如電表、水表、燃?xì)獗淼戎悄軆x表中用作�(shù)�(jù)緩沖和長(zhǎng)期存�(chǔ)�
3. POS 終端和支付設(shè)備:用于臨時(shí)存儲(chǔ)交易信息并保證斷電后不丟��
4. 通信�(shè)備:如調(diào)制解�(diào)�、路由器等需要穩(wěn)定數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的環(huán)��
5. 便攜式電子設(shè)備:包括手持終端、�(gè)人數(shù)字助理等�(duì)低功耗要求較高的�(chǎn)��
DS1220Y-100, DS1220Y-150