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DS1225AB-150IND 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 18:46:33 查看 閱讀:32

DS1225AB-150IND是一款由Maxim Integrated(現(xiàn)為Analog Devices的一部分)生產(chǎn)的雙通道、低功耗CMOS EEPROM芯片,采用I2C兼容的串行接口。該器件具備快速寫入特性以及高可靠性,在工業(yè)控制、消費(fèi)電子和通信設(shè)備中被廣泛應(yīng)用。
  DS1225系列包含多個(gè)型號(hào),主要區(qū)別在于存儲(chǔ)容量、封裝形式及工作溫度范圍。具體到DS1225AB-150IND,其具有8K位(1K x 8)的存儲(chǔ)容量,分為兩個(gè)獨(dú)立的512 x 8存儲(chǔ)器陣列,支持字節(jié)級(jí)讀寫操作,具備非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量:8K位 (1K x 8)
  組織方式:512 x 8 x 2
  工作電壓:1.7V 至 5.5V
  接口類型:I2C兼容串行接口
  工作頻率:400kHz
  數(shù)據(jù)保留時(shí)間:超過200年
  擦寫周期:1,000,000次
  封裝形式:SOIC-8
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

DS1225AB-150IND提供雙獨(dú)立存儲(chǔ)陣列,允許同時(shí)訪問兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域而不相互干擾。
  它具有極低的工作電流和待機(jī)電流,非常適合電池供電設(shè)備。
  通過I2C接口實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)傳輸,最高支持400kHz時(shí)鐘速率。
  內(nèi)置寫保護(hù)機(jī)制,防止意外寫入或數(shù)據(jù)損壞。
  非易失性存儲(chǔ)確保斷電后數(shù)據(jù)完整保存。
  符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于需要小容量非易失性存儲(chǔ)的場景,例如嵌入式系統(tǒng)中的配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、傳感器校準(zhǔn)參數(shù)保存、工業(yè)控制器的狀態(tài)記錄、消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的用戶偏好設(shè)置保存等。
  此外,由于其雙存儲(chǔ)陣列設(shè)計(jì),還可以用于數(shù)據(jù)備份或鏡像存儲(chǔ),以提高系統(tǒng)的容錯(cuò)性和可靠性。
  典型應(yīng)用場景包括打印機(jī)墨水監(jiān)控、醫(yī)療設(shè)備參數(shù)存儲(chǔ)、家用電器設(shè)置保存以及物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)緩存。

替代型號(hào)

DS1225B-150IND
  DS1225AC-150IND
  AT24C01A
  24LC01B

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ds1225ab-150ind參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲(chǔ)器
  • 系列-
  • 格式 - 存儲(chǔ)器RAM
  • 存儲(chǔ)器類型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存儲(chǔ)容量64K (8K x 8)
  • 速度150ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝28-EDIP
  • 包裝管件