DS1243Y是一款由Maxim Integrated生產(chǎn)的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM)。該芯片結(jié)合了高速SRAM和非易失性鐵電存儲(chǔ)技術(shù),能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)。它具有快速寫(xiě)入、低功耗以及高可靠性的特點(diǎn),適用于需要頻繁數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用場(chǎng)景。
DS1243Y-200IND是其一種具體封裝形式,采用SOIC-8封裝,工作電壓范圍為2.7V至5.5V。
容量:32Kbit
組織方式:4096x8
工作電壓:2.7V至5.5V
工作溫度:-40°C至+85°C
封裝形式:SOIC-8
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:超過(guò)10年
讀寫(xiě)耐久性:超過(guò)10^12次
DS1243Y系列的NVSRAM提供了一個(gè)獨(dú)特的功能組合,使其非常適合于需要頻繁且快速數(shù)據(jù)記錄的工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。主要特性包括:
1. 非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ):在斷電情況下能夠保存數(shù)據(jù),無(wú)需后備電池支持。
2. 快速寫(xiě)入速度:與傳統(tǒng)EEPROM相比,寫(xiě)入速度顯著提升。
3. 低功耗操作:具備低功耗待機(jī)模式,減少能源消耗。
4. 高可靠性:可承受超過(guò)10^12次的讀寫(xiě)周期,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 廣泛的工作電壓范圍:2.7V到5.5V的寬電壓范圍,增強(qiáng)了靈活性和兼容性。
6. 小型化設(shè)計(jì):SOIC-8封裝節(jié)省空間,適合緊湊型系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
由于其卓越的性能,DS1243Y被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)控制:如PLC、DCS等系統(tǒng)中的配置參數(shù)存儲(chǔ)。
2. 消費(fèi)電子:如打印機(jī)、掃描儀中的固件和配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
3. 計(jì)量設(shè)備:如智能儀表中用于關(guān)鍵數(shù)據(jù)的備份和存儲(chǔ)。
4. 醫(yī)療設(shè)備:如監(jiān)護(hù)儀中的病人數(shù)據(jù)記錄。
5. 通信設(shè)備:如路由器、交換機(jī)中的日志數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
6. 數(shù)據(jù)記錄儀:用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和存儲(chǔ)。
DS1243Y-100
DS1243Y-500
DS1243Y-1000