產品型號 | EP3SE260H780C2N |
描述 | 集成電路FPGA 488 I/O 780HBGA |
分類 | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(現場可編程門陣列) |
制造商 | 英特� |
系列 | Stratix?III E |
打包 | 托盤 |
零件狀�(tài) | 活� |
電壓-電源 | 0.86V?1.15V |
工作溫度 | 0°C?85°C(TJ) |
包裝/� | 780-BBGA,FCBGA |
供應商設備包� | 780-HBGA(33x33) |
基本零件� | EP3SE260 |
EP3SE260H780C2N
可編程邏輯類� | 現場可編程門陣列 |
符合歐盟RoHS | � |
狀�(tài) | 轉入 |
最大時鐘頻� | 800.0兆赫 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B780 |
JESD-609代碼 | 1� |
總RAM� | 16672768 |
輸入數量 | 488.0 |
邏輯單元� | 255000.0 |
輸出數量 | 488.0 |
端子� | 780 |
最低工作溫� | 0� |
最高工作溫� | 85� |
峰值回流溫�(�) | 245 |
電源 | 1.2 / 3.3 |
資格狀�(tài) | 不合� |
座高 | 3.5毫米 |
子類� | 現場可編程門陣列 |
電源電壓標稱 | 0.9� |
最小供電電� | 0.86� |
最大電源電� | 0.94� |
安裝類型 | 表面貼裝 |
技� | CMOS |
溫度等級 | 其他 |
終端完成 | �/銀/�(Sn / Ag / Cu) |
終端表格 | � |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時間@峰值回流溫度最大�(�) | 40 |
長度 | 33.0毫米 |
寬度 | 33.0毫米 |
附加功能 | 它也可以�1.05�1.15V的電源范圍內工作 |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹� |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA780,28X28,40 |
包裝形狀 | 廣場 |
包裝形式 | 網格陣列 |
制造商包裝說明 | 無鉛,HBGA-780 |
無鉛狀�(tài)/RoHS狀�(tài) | 無鉛/符合RoHS |
水分敏感性水�(MSL) | 3(168小時) |
48,000�338,000個等效邏輯元�(LE)
2,430�20,497 Kbit的增強型TriMatrix存儲器,由三種RAM 塊大小組�,可實現真正的雙端口存儲器和FIFO緩沖區(qū)
高速DSP模塊提供9×9�12×12�18×18 �36×36乘法�(最�550 MHz),乘法累加功能和有限脈沖響應(FIR)濾波器的專用實現
I / O:GND:PWR比率�8�1�1,并通過片上和封裝上的去耦實現了強大的信號完整�
可編程電源技�,可在最大程度降低功耗的同時最大化設備性能
可選的核心電�,在低壓設備中可�(L訂貨代碼后綴),可以選擇最低功率或最高性能的設�
每個設備最�16個全局時鐘�88個區(qū)域時鐘和116個外圍時�
每個設備最�12個鎖相環(huán)(PLL),支持PLL重配�,時鐘切�,可編程帶寬,時鐘合成和動態(tài)相移
所有I / O bank均具有專用DQS邏輯的內存接口支�
支持多達24個模塊化I / O bank 上的高速外部存儲器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM
多達1,104個用戶I / O引腳布置�24個模塊化I / O組中,這些模塊支持廣泛的行�(yè)I / O標準
在所有I / O bank 上具有自動校準支持的動態(tài)片上終端(OCT)
具有串行�/解串�(SERDES)和動�(tài)相位對準(DPA)電路的高速差分I / O支持,可實現1.6 Gbps的性能
支持高速網絡和通信總線標準,包括SPI-4.2,SFI-4,SGMII,Utopia IV�10千兆以太網XSBI,Rapid I / O和NPSI
唯一的高密度,高性能FPGA,支�256位AES 易失性和非易失性安全密鑰,以保護設�
強大的片上熱插拔和電源排序支�
集成的循�(huán)冗余校驗(CRC),用于配置存儲器錯誤檢測,并具有嚴重錯誤確定功能,可支持高可用性系�
內置糾錯編碼(ECC)電路,用于檢測和糾正M144K TriMatrix存儲模塊中的數據錯誤
Nios?II嵌入式處理器支持
支持Altera?MegaCore? 功能和Altera Megafunction合作伙伴計劃(AMPP SM)的多個知識產權宏功能