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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > EP3SE260H780C2N

EP3SE260H780C2N 發(fā)布時間 時間�2023/7/28 11:55:45 查看 閱讀�755

產品概述

產品型號EP3SE260H780C2N
描述集成電路FPGA 488 I/O 780HBGA
分類集成電路(IC),嵌入式-FPGA(現場可編程門陣列)
制造商英特�
系列Stratix?III E
打包托盤
零件狀�(tài)活�
電壓-電源0.86V?1.15V
工作溫度0°C?85°C(TJ)
包裝/�780-BBGA,FCBGA
供應商設備包�780-HBGA(33x33)
基本零件�
EP3SE260

產品圖片

EP3SE260H780C2N

EP3SE260H780C2N

�(guī)格參�

可編程邏輯類�現場可編程門陣列
符合歐盟RoHS
狀�(tài)轉入
最大時鐘頻�800.0兆赫
JESD-30代碼S-PBGA-B780
JESD-609代碼1�
總RAM�16672768
輸入數量488.0
邏輯單元�
255000.0
輸出數量488.0
端子�780
最低工作溫�0�
最高工作溫�85�
峰值回流溫�(�)245
電源1.2 / 3.3
資格狀�(tài)不合�
座高3.5毫米
子類�現場可編程門陣列
電源電壓標稱0.9�
最小供電電�0.86�
最大電源電�0.94�
安裝類型表面貼裝
技�CMOS
溫度等級其他
終端完成�/銀/�(Sn / Ag / Cu)
終端表格
端子間距1.0毫米
終端位置底部
時間@峰值回流溫度最大�(�)40
長度33.0毫米
寬度33.0毫米
附加功能它也可以�1.05�1.15V的電源范圍內工作
包裝主體材料塑料/�(huán)氧樹�
包裝代碼BGA
包裝等效代碼BGA780,28X28,40
包裝形狀廣場
包裝形式網格陣列
制造商包裝說明無鉛,HBGA-780

�(huán)境與出口分類

無鉛狀�(tài)/RoHS狀�(tài)

無鉛/符合RoHS

水分敏感性水�(MSL)

3(168小時)

特點

  • 48,000�338,000個等效邏輯元�(LE)

  • 2,430�20,497 Kbit的增強型TriMatrix存儲器,由三種RAM 塊大小組�,可實現真正的雙端口存儲器和FIFO緩沖區(qū)

  • 高速DSP模塊提供9×9�12×12�18×18 �36×36乘法�(最�550 MHz),乘法累加功能和有限脈沖響應(FIR)濾波器的專用實現

  • I / O:GND:PWR比率�8�1�1,并通過片上和封裝上的去耦實現了強大的信號完整�

  • 可編程電源技�,可在最大程度降低功耗的同時最大化設備性能

  • 可選的核心電�,在低壓設備中可�(L訂貨代碼后綴),可以選擇最低功率或最高性能的設�

  • 每個設備最�16個全局時鐘�88個區(qū)域時鐘和116個外圍時�

  • 每個設備最�12個鎖相環(huán)(PLL),支持PLL重配�,時鐘切�,可編程帶寬,時鐘合成和動態(tài)相移

  • 所有I / O bank均具有專用DQS邏輯的內存接口支�

  • 支持多達24個模塊化I / O bank 上的高速外部存儲器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM

  • 多達1,104個用戶I / O引腳布置�24個模塊化I / O組中,這些模塊支持廣泛的行�(yè)I / O標準

  • 在所有I / O bank 上具有自動校準支持的動態(tài)片上終端(OCT)

  • 具有串行�/解串�(SERDES)和動�(tài)相位對準(DPA)電路的高速差分I / O支持,可實現1.6 Gbps的性能

  • 支持高速網絡和通信總線標準,包括SPI-4.2,SFI-4,SGMII,Utopia IV�10千兆以太網XSBI,Rapid I / O和NPSI

  • 唯一的高密度,高性能FPGA,支�256位AES 易失性和非易失性安全密鑰,以保護設�

  • 強大的片上熱插拔和電源排序支�

  • 集成的循�(huán)冗余校驗(CRC),用于配置存儲器錯誤檢測,并具有嚴重錯誤確定功能,可支持高可用性系�

  • 內置糾錯編碼(ECC)電路,用于檢測和糾正M144K TriMatrix存儲模塊中的數據錯誤

  • Nios?II嵌入式處理器支持

  • 支持Altera?MegaCore? 功能和Altera Megafunction合作伙伴計劃(AMPP SM)的多個知識產權宏功能

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