EPC8QC100N 時(shí)間：2025/5/23 4:48:40 閱讀：14

EPC8QC100N是一款由Efficient Power Conversion (EPC)公司生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。該器件采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，EPC8QC100N能夠在更高的頻率下運(yùn)行，并且提供更低的功耗。
　　此芯片主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備、激光雷達(dá)以及各種需要高效能和高速開關(guān)性能的場(chǎng)合。

參數(shù)

類型：增強(qiáng)型GaN FET
　　最大漏源電壓（Vds）：100V
　　最大漏極電流（Id）：8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：35mΩ
　　柵極驅(qū)動(dòng)電壓（Vgs）：6V/12V
　　結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C
　　封裝形式：QFN 8x8mm

特性

EPC8QC100N的核心優(yōu)勢(shì)在于其采用了GaN技術(shù)，這使得它能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和極短的開關(guān)時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
　　2. 高速開關(guān)能力支持高達(dá)數(shù)MHz的工作頻率，從而減小無(wú)源元件尺寸并提升功率密度。
　　3. 簡(jiǎn)化的電路設(shè)計(jì)，由于其零反向恢復(fù)電荷特性，可以省去額外的緩沖網(wǎng)絡(luò)。
　　4. 小巧的封裝形式，進(jìn)一步節(jié)省了PCB空間。
　　這些特點(diǎn)使EPC8QC100N成為高性能電源管理應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

EPC8QC100N適用于多種高性能電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器，特別是小型化和輕量化設(shè)計(jì)需求的應(yīng)用。
　　2. 無(wú)線充電系統(tǒng)中的功率傳輸模塊，支持更高效率的能量傳遞。
　　3. 激光雷達(dá)（LiDAR）中的脈沖發(fā)生器，以提供快速而精確的信號(hào)輸出。
　　4. 音頻放大器中的開關(guān)電源部分，確保音頻信號(hào)不失真。
　　5. 太陽(yáng)能微型逆變器以及其他可再生能源相關(guān)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
　　此外，任何需要在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效能電力轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)都可以考慮使用這款器件。