EPC8QC100N是一款由Efficient Power Conversion (EPC)公司生產(chǎn)的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。該器件采用先進(jìn)的GaN技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,非常適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,EPC8QC100N能夠在更高的頻率下運(yùn)行,并且提供更低的功耗。
此芯片主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備、激光雷達(dá)以及各種需要高效能和高速開關(guān)性能的場(chǎng)合。
類型:增強(qiáng)型GaN FET
最大漏源電壓(Vds):100V
最大漏極電流(Id):8A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
柵極驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs):6V/12V
結(jié)溫范圍:-40°C 至 +150°C
封裝形式:QFN 8x8mm
EPC8QC100N的核心優(yōu)勢(shì)在于其采用了GaN技術(shù),這使得它能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和極短的開關(guān)時(shí)間。具體來(lái)說(shuō):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 高速開關(guān)能力支持高達(dá)數(shù)MHz的工作頻率,從而減小無(wú)源元件尺寸并提升功率密度。
3. 簡(jiǎn)化的電路設(shè)計(jì),由于其零反向恢復(fù)電荷特性,可以省去額外的緩沖網(wǎng)絡(luò)。
4. 小巧的封裝形式,進(jìn)一步節(jié)省了PCB空間。
這些特點(diǎn)使EPC8QC100N成為高性能電源管理應(yīng)用的理想選擇。
EPC8QC100N適用于多種高性能電力電子應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是小型化和輕量化設(shè)計(jì)需求的應(yīng)用。
2. 無(wú)線充電系統(tǒng)中的功率傳輸模塊,支持更高效率的能量傳遞。
3. 激光雷達(dá)(LiDAR)中的脈沖發(fā)生器,以提供快速而精確的信號(hào)輸出。
4. 音頻放大器中的開關(guān)電源部分,確保音頻信號(hào)不失真。
5. 太陽(yáng)能微型逆變器以及其他可再生能源相關(guān)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
此外,任何需要在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效能電力轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)都可以考慮使用這款器件。
EPC2019C
EPC2018C