EPC8QC100N是一款由Efficient Power Conversion (EPC)公司生產(chǎn)的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�。該器件采用先�(jìn)的GaN技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于高頻開�(guān)�(yīng)�。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,EPC8QC100N能夠在更高的頻率下運(yùn)行,并且提供更低的功��
此芯片主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備、激光雷�(dá)以及各種需要高效能和高速開�(guān)性能的場(chǎng)��
類型:增�(qiáng)型GaN FET
最大漏源電壓(Vds):100V
最大漏極電流(Id):8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
柵極�(qū)�(dòng)電壓(Vgs):6V/12V
�(jié)溫范圍:-40°C � +150°C
封裝形式:QFN 8x8mm
EPC8QC100N的核心優(yōu)�(shì)在于其采用了GaN技�(shù),這使得它能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的�(dǎo)通電阻和極短的開�(guān)�(shí)�。具體來(lái)�(shuō)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力支持高達(dá)�(shù)MHz的工作頻�,從而減小無(wú)源元件尺寸并提升功率密度�
3. �(jiǎn)化的電路�(shè)�(jì),由于其零反向恢�(fù)電荷特�,可以省去額外的緩沖�(wǎng)�(luò)�
4. 小巧的封裝形�,�(jìn)一步節(jié)省了PCB空間�
這些特點(diǎn)使EPC8QC100N成為高性能電源管理�(yīng)用的理想選擇�
EPC8QC100N適用于多種高性能電力電子�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是小型化和輕量化設(shè)�(jì)需求的�(yīng)��
2. �(wú)線充電系�(tǒng)中的功率傳輸模塊,支持更高效率的能量傳遞�
3. 激光雷�(dá)(LiDAR)中的脈沖發(fā)生器,以提供快速而精確的信號(hào)輸出�
4. 音頻放大器中的開�(guān)電源部分,確保音頻信�(hào)不失��
5. 太陽(yáng)能微型逆變器以及其他可再生能源相關(guān)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備�
此外,任何需要在緊湊空間�(nèi)�(shí)�(xiàn)高效能電力轉(zhuǎn)換的�(shè)�(jì)都可以考慮使用這款器件�
EPC2019C
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