時間：2025/5/7 10:51:22
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ETPE330MA9GB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進的溝槽式技術(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適用于多種高頻開關(guān)應(yīng)用場合。其封裝形式為 TO-263，能夠提供出色的散熱性能和電氣特性。
最大漏源電壓：150V
連續(xù)漏極電流：33A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：65nC
開關(guān)頻率：500kHz
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
ETPE330MA9GB 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和快速開關(guān)速度。這些特性使得該芯片非常適合于需要高效能和低損耗的應(yīng)用場景。此外，其堅固的設(shè)計能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定性能。
低導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗，從而提高了整體效率。高電流承載能力允許在大功率應(yīng)用中使用此器件。快速開關(guān)速度減少了開關(guān)損耗，并支持更高的工作頻率，這有助于縮小外部元件的尺寸并優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器以及各種工業(yè)控制設(shè)備中。由于其卓越的熱性能和電氣性能，ETPE330MA9GB 在高功率密度和高效能要求的場合表現(xiàn)出色。
它特別適合需要頻繁開關(guān)且對功耗敏感的環(huán)境，例如汽車電子、通信電源及消費類電子產(chǎn)品中的適配器與充電器。
IRFP4468PBF
STP33NF06L
FDP16N10E
