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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDA16N50LDTU

FDA16N50LDTU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:41:33 查看 閱讀�26

FDA16N50LDTU 是一款基于先�(jìn)的超�(jié)技�(shù)� N 溝道功率 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他功率管理應(yīng)用。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其在高效率和緊湊型�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色�
  這款功率 MOSFET 的額定電壓為 500V,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)保持較低的導(dǎo)通損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  最大漏極電流:16A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
  柵極電荷(典型值)�23nC
  輸入電容(典型值)�900pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

FDA16N50LDTU 使用了先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻與高擊穿電壓的�(jié)�。它具有極低的開(kāi)�(guān)損耗和高能效表�(xiàn),非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)��
  此外,該器件具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)�。它的封裝設(shè)�(jì)�(jìn)一步增�(qiáng)了散熱性能,使得該 MOSFET 在高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合下依然能夠保持高效和穩(wěn)定的工作狀�(tài)�
  FDA16N50LDTU 的快速開(kāi)�(guān)特性減少了電磁干擾(EMI),并允許使用更小的�(wú)源元�,從而降低整�(gè)系統(tǒng)的成本和尺寸。綜合來(lái)�,這是一款兼具高性能和經(jīng)�(jì)性的功率 MOSFET�

�(yīng)�

FDA16N50LDTU 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高可靠性的功率�(zhuǎn)換場(chǎng)景中,例如:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - PFC(功率因�(shù)校正)電�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  - 工業(yè)控制
  - 太陽(yáng)能逆變�
  由于其高耐壓能力和低�(dǎo)通損�,該器件特別適合于要求嚴(yán)苛的工業(yè)和汽�(chē)�(huán)境�

替代型號(hào)

FDZ16N50LDTU
  IRFP460
  FQA16P50E

fda16n50ldtu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fda16n50ldtu參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�347�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �21.94000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�500 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)16.5A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)380 毫歐 @ 8.3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1945 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)205W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-3PN(L 型)
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3(成型引線)