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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDD8424H

FDD8424H 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 11:04:07 查看 閱讀�29

FDD8424H是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于高�、低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)特�,非常適合于需要高效能和高可靠性的電子電路�。其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),從而節(jié)省了印刷電路板的空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�17A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  總柵極電荷:33nC
  輸入電容�1350pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

FDD8424H具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使得它在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損�。此外,它的快速開(kāi)�(guān)特性和低柵極電荷設(shè)�(jì)可以減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
  FDD8424H的工作溫度范圍較�,可以在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能,適用于汽車(chē)電子、工�(yè)電源以及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品等多種�(chǎng)��
  由于其采用TO-252小型封裝,因此可以方便地集成到緊湊型�(shè)�(jì)�,同�(shí)支持高效的熱管理方案�
  該器件還具備較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常條件下提供額外的安全保��

�(yīng)�

FDD8424H廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、電池管理系�(tǒng)(BMS�、太�(yáng)能逆變器等高效率電力電子設(shè)備中。其卓越的性能使其成為各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整流以及功率因�(shù)校正(PFC)電路的理想選擇�
  此外,在電動(dòng)�(chē)和混合動(dòng)力車(chē)的牽引逆變器系�(tǒng)�,F(xiàn)DD8424H也可用于輔助功率模塊的設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

FDP8424H
  FDMQ8207
  IRF840

fdd8424h推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fdd8424h資料 更多>

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  • FDD8424H
  • Dual N & P-Channel PowerTrench� MOS...
  • FAIRCHILD&nbs...
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fdd8424h參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列PowerTrench®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A�6.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 20V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-5,DPak�4 引線(xiàn) + 接片�,TO-252AD
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252-4L
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)FDD8424HTR