FDD84453LZ 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用先進的制造工藝設�,適用于需要高效能和低導通電阻的應用場景。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,能夠在高頻開關應用中提供出色的性能�
這款 MOSFET 主要用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)設備以及通信系統(tǒng)中的電源管理領域,適合要求高效率和高可靠性的電路設計�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�17A
導通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�39nC
開關時間:ton=11ns, toff=18ns
結溫范圍�-55℃至175�
FDD84453LZ 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功耗并提高整體效率�
2. 高速開關能力,支持高頻操作,適用于開關電源和電機驅動等應用�
3. 具備強大的電流承載能�,可滿足大電流負載的需��
4. �(nèi)置反向二極管,有助于減少電路復雜性并提升能量回收效率�
5. 工作溫度范圍寬廣,適應各種嚴苛環(huán)境下的工作需��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色設計需��
FDD84453LZ 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�,如 AC/DC � DC/DC 轉換��
2. 各類電機驅動控制電路,例如家用電器中的風�、泵浦等�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,特別是電動汽車和儲能設備中的電池保護與充放電控制�
4. 通信設備中的負載開關和信號切��
5. 工業(yè)自動化設備中的電源管理和信號處理模塊�
FDP5570N, IRF540N, STP17NF06L