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FDG6301N 發(fā)布時間 時間�2024/7/19 14:49:15 查看 閱讀�385

FDG6301N是一種高性能的N溝道MOSFET晶體�,具有低�(dǎo)通電�、高頻響�(yīng)、低開關(guān)損耗等特點。它是一種高速開�(guān)器件,可以用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、PWM控制器等電源�(yīng)用中�
  FDG6301N是一款高壓瓦楞紙板機。它采用了先進的電腦控制技�(shù)和氣動控制技�(shù),實�(xiàn)了高效率、高精度的生�(chǎn)。該機器可以生產(chǎn)各種類型的瓦楞紙�,如A、B、C、E、F、G等型號的瓦楞紙板,可廣泛�(yīng)用于各種包裝行業(yè)�
  FDG6301N采用氣動控制技�(shù),其操作理論是通過氣動控制系統(tǒng)控制機器的運�。該機器采用了多重保護裝�,包括過載保�、過熱保�、斷電保護等,確保機器的安全運行�
  FDG6301N主要由進紙部分、壓紋部�、切紙部�、送紙部分、成品部分等組成。進紙部分用于將原料紙送入機器,壓紋部分用于壓制紙�,切紙部分用于將紙板切割成所需長度,送紙部分用于將紙板送入下一道工�,成品部分用于收集成品紙板�

參數(shù)與指�(biāo)

1、電阻:RDS(ON) = 6.5mΩ@VGS=10V
  2、電壓:VDS = 30V
  3、電流:ID = 8A
  4、封裝:SOT-23
  5、溫度范圍:-55� ~ 150�

特點

1、低�(dǎo)通電阻:FDG6301N的導(dǎo)通電阻很�,可以降低開�(guān)損耗和溫升,提高效率�
  2、高頻響�(yīng):FDG6301N的高頻響�(yīng)能力較強,可以應(yīng)用于高頻開關(guān)電路�
  3、低開關(guān)損耗:FDG6301N的開�(guān)損耗很小,因此可以降低功�,提高電源效��
  4、SOT-23封裝:FDG6301N采用SOT-23封裝,占用空間小,適合于大規(guī)模集成電��
  5、可靠性高:FDG6301N具有較高的可靠性,可以滿足各種�(yán)苛的�(yīng)用環(huán)��

工作原理

FDG6301N是一種N溝道MOSFET晶體管,它是一種電流控制開�(guān)器件。當(dāng)輸入控制信號VGS大于MOSFET的閾值電壓VT�,MOSFET的導(dǎo)通電阻很�,電流可以通過MOSFET流過。當(dāng)VGS小于VT�,MOSFET的導(dǎo)通電阻很�,電流無法通過MOSFET,MOSFET處于�(guān)斷狀�(tài)。當(dāng)MOSFET處于�(dǎo)通狀�(tài)時,電流從源極流入漏極,此時MOSFET的導(dǎo)通電阻很�,因此能�?qū)崿F(xiàn)高效率地能量傳輸。當(dāng)MOSFET處于�(guān)斷狀�(tài)�,漏極與源極之間的電壓很�,電流無法流過,此時MOSFET的開�(guān)損耗很��

�(yīng)�

1、DC-DC�(zhuǎn)換器:FDG6301N可用于DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)電路,實�(xiàn)高效率的能量傳輸�
  2、逆變器:FDG6301N可用于逆變器中的開�(guān)電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
  3、PWM控制器:FDG6301N可用于PWM控制器中的開�(guān)電路,實�(xiàn)精確的電源控��

FDG6301N的設(shè)計注意事�

1、確定工作電壓:在設(shè)計電路時,要確定MOSFET的工作電壓范�,以保證器件的安全運行�
  2、控制信號:在使用MOSFET�,要保證控制信號的幅值和頻率適當(dāng),以免損壞器件�
  3、散熱:在高功率�(yīng)用中,要為MOSFET提供足夠的散�,以保證器件的長期穩(wěn)定運��
  4、PCB布局:在�(shè)計PCB布局�,應(yīng)盡量縮短MOSFET的引腳長度,以降低電感和電容的干��
  5、靜電保護:在使用MOSFET�,要注意靜電保護,避免靜電損壞器��

fdg6301n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdg6301n資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdg6301n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C220mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 歐姆 @ 220mA�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDG6301NTR