国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDMB668P

FDMB668P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 18:01:03 查看 閱讀�580

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:FairchildSemiconductor
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)
RoHS:是
配置:SingleHexDrain
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�35mOhms
正向跨導(dǎo)gFS(最大�/最小值)�27S
汲極/源極擊穿電壓�-20V
�/源擊穿電壓:+/-8V
漏極連續(xù)電流�-6.4A
功率耗散�1.9W
最大工作溫度:+150

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:MicroFET-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

fdmb668p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdmb668p資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdmb668p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6.1A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2085pF @ 10V
  • 功率 - 最�800mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-MLP,MicroFET?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-MLP,MicroFET�3x1.9�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDMB668PTR