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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDN360P

FDN360P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/17 14:05:06 查看 閱讀�435

FDN360P是一款高性能的N溝道MOSFET功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�,具有低�(dǎo)通阻抗、低�(kāi)�(guān)損�、高�(kāi)�(guān)速度和低噪聲等特�(diǎn)。其主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)控制、照明控制、電子換向器等領(lǐng)�,可以提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  FDN360P的輸入電壓范圍為20V�60V,輸出電壓范圍為0V�60V,最大電流為6A。其最小漏電流�1μA,最大導(dǎo)通電阻為7.5mΩ。同�(shí),F(xiàn)DN360P還具有過(guò)溫保�(hù)和過(guò)電流保護(hù)等安全保�(hù)功能,能夠保障系�(tǒng)的穩(wěn)定��
  FDN360P的封裝為SOT23-3,體積小、重量輕,適合在空間受限的應(yīng)用場(chǎng)合使用。其�(huán)保性能符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),不含鉛等有害物�(zhì),具有良好的�(huán)境保�(hù)性能�

參數(shù)

1、導(dǎo)通電阻:2.5mΩ@VGS=4.5V�4.5mΩ@VGS=2.5V�5.5mΩ@VGS=1.8V
  2、開(kāi)�(guān)電阻�4.3mΩ@VGS=4.5V�7.5mΩ@VGS=2.5V�9.2mΩ@VGS=1.8V
  3、漏電流�0.1μA@VDS=60V,TJ=25�
  4、閾值電壓:0.8V@VDS=VGS,ID=250μA
  5、最大承受電壓:60V
  6、最大承受電流:6A
  7、最大功耗:3.4W
  8、封裝形式:SOT-23

典型特征

1、導(dǎo)通電阻低:FDN360P采用了TrenchFET?技�(shù),具有低�(dǎo)通電�,可以降低功率損�,提高效��
  2、開(kāi)�(guān)電阻低:FDN360P的低�(kāi)�(guān)電阻可以降低�(kāi)�(guān)損耗,提高�(kāi)�(guān)速度�
  3、高速開(kāi)�(guān):FDN360P的快速開(kāi)�(guān)速度可以提高系統(tǒng)的響�(yīng)速度,適用于高頻、高速開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  4、低漏電流:FDN360P的低漏電流可以降低系�(tǒng)的功�,提高系�(tǒng)的效��
  5、適�(yīng)溫度范圍廣:FDN360P的工作溫度范圍為-55℃~150℃,適用于各種環(huán)境溫度下的應(yīng)��

工作原理

FDN360P是一種N溝道MOSFET,它的工作原理與常規(guī)MOSFET相似。當(dāng)通電�(shí),通過(guò)控制柵極電壓可以控制源極和漏極之間的電阻,從而控制電流的大小。具體來(lái)�(shuō),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),MOSFET�(dǎo)�,電流流�(guò)源極和漏極之間的通道;當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),MOSFET截止,電流無(wú)法流�(guò)通道�

�(yīng)�

電源管理:FDN360P可用于電源開(kāi)�(guān)、電源逆變�、DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�,其低導(dǎo)通阻抗和低開(kāi)�(guān)損耗能夠提高系�(tǒng)的效��
  電機(jī)控制:FDN360P可用于電�(jī)�(qū)�(dòng)�、電�(jī)保護(hù)等場(chǎng)�,其高開(kāi)�(guān)速度和低噪聲能夠提高電機(jī)控制的精度和�(wěn)定��
  照明控制:FDN360P可用于LED�(qū)�(dòng)�、照明開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�,其低導(dǎo)通阻抗和低開(kāi)�(guān)損耗能夠提高照明系�(tǒng)的效率和可靠��
  電子換向器:FDN360P可用于電子換向器、電�(jī)控制器等�(chǎng)�,其高開(kāi)�(guān)速度和低噪聲能夠提高電機(jī)控制的精度和�(wěn)定��

布局

FDN360P采用SOT-23封裝形式,尺寸為2.9mm x 1.3mm x 1.0mm,體積小、重量輕,適用于各種緊湊型應(yīng)用。在布局�,需要注意以下幾�(diǎn)�
  1、將MOSFET與其他元件分�(kāi):由于MOSFET的導(dǎo)通電阻低,當(dāng)電流流過(guò)�(shí)�(huì)�(chǎn)生較大的功率損�,因此需要將MOSFET與其他元件分�(kāi),以減少功率損��
  2、保持散熱:由于MOSFET在工作時(shí)�(huì)�(chǎn)生熱量,需要保持良好的散熱,以避免�(guò)熱損��
  3、控制柵極電壓:由于MOSFET的導(dǎo)通和截止是通過(guò)控制柵極電壓�(shí)�(xiàn)的,因此需要注意柵極電壓的控制,避免過(guò)高或�(guò)低的柵極電壓�(dǎo)致MOSFET工作異常或損��

如何使用FDN360P

在使用FDN360P�(shí),需要注意以下幾�(diǎn)�
  1、控制柵極電壓:由于MOSFET的導(dǎo)通和截止是通過(guò)控制柵極電壓�(shí)�(xiàn)�,因此需要注意柵極電壓的控制,避免過(guò)高或�(guò)低的柵極電壓�(dǎo)致MOSFET工作�?;驌p��
  2、保持散熱:由于MOSFET在工作時(shí)�(huì)�(chǎn)生熱�,需要保持良好的散熱,以避免�(guò)熱損��
  3、布局合理:需要將MOSFET與其他元件分�(kāi),以減少功率損�;同�(shí)需要注意防止開(kāi)�(guān)噪聲和EMI干擾�
  4、選擇合適的�(qū)�(dòng)電路:為了確保MOSFET能夠正常工作,需要選擇合適的�(qū)�(dòng)電路,以確保MOSFET的柵極電壓符合工作要�,同�(shí)避免損壞MOSFET�

fdn360p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdn360p資料 更多>

  • 型號(hào)
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  • FDN360P
  • Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFE...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

fdn360p參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds298pF @ 15V
  • 功率 - 最�460mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDN360PTR