PBSS5160T是一款來自Diodes Incorporated的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的制造工�,提供出色的開關性能和低導通電阻特性,廣泛應用于高效率電源轉換、負載開關以及電機驅動等應用中。它具有極低的導通電阻和快速開關速度,非常適合需要高效能和小體積設計的應用場��
此器件封裝為TO-252(DPAK),有助于提高散熱性能并簡化PCB布局�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�39A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�)
柵極電荷(Qg)�8nC(典型�)
總熱�(結到�(huán)�)�140°C/W
工作溫度范圍�-55°C�175°C
1. 極低的導通電阻Rds(on),可以顯著降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,支持高頻操作,適用于開關電源(SMPS)及DC-DC轉換器�
3. 高雪崩能量能�,增強器件在異常條件下的魯棒��
4. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
5. 小型化封�,節(jié)省PCB空間,便于緊湊型設計�
6. 提供卓越的電氣特性和可靠性,適合工業(yè)和消費類應用�
1. 開關模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉換�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 電機驅動與控�
5. 負載開關
6. 工業(yè)自動化設備中的功率級管理
7. 消費電子產品的適配器和充電器
IRF540N
FDP5500
AO3400