FDS8672S是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor的一部分)生�(chǎn)。該器件采用了先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于各種功率�(zhuǎn)換和負載開關(guān)�(yīng)用。其小型封裝�(shè)計使其非常適合空間受限的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.1A
導通電阻(Rds(on)):45mΩ(在Vgs=10V時)
柵極電荷�9nC
總電容:390pF
功耗:1.8W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
FDS8672S具有低導通電�,能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
該器件還具備快速開�(guān)性能,可以減少開�(guān)損耗,非常適合高頻�(yīng)��
其小尺寸封裝(如SO-8封裝)使其適合于便攜式設(shè)備和其他空間受限的設(shè)計�
FDS8672S還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
FDS8672S廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(lǐng)�。常見的�(yīng)用場景包括:
DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
負載開關(guān)和電源管理電�
電機�(qū)動和繼電器驅(qū)�
電池保護和充電電�
音頻放大器和信號切換
便攜式設(shè)備中的電源管理模�
FDP8672S
IRLML6244
AOD516
AO3400