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FDS9435A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/7/3 15:26:31 查看 閱讀:435

FDS9435A是一種N溝道MOSFET晶體管,由富士康電子公司生產(chǎn)。該晶體管采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),使其具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低輸入電容等特點(diǎn)。其最大漏電流為1mA,最大漏電壓為30V,最大耗散功率為1W。
  FDS9435A晶體管的封裝為SOT23-3,尺寸為3.05mm x 1.6mm x 1.3mm。其工作溫度范圍為-55℃至150℃,可用于各種工業(yè)和電子設(shè)備中。該晶體管在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、電源開關(guān)和音頻放大器等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
  FDS9435A晶體管的優(yōu)點(diǎn)包括:在高電壓下工作時(shí)具有優(yōu)異的性能、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、低輸入電容、溫度穩(wěn)定性好等。此外,該晶體管還采用了無鉛制造工藝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),對(duì)環(huán)境友好。

參數(shù)與指標(biāo)

1、閾值電壓:-1V至-2.5V
  2、最大漏源電壓:30V
  3、最大漏極電流:5.7A
  4、最大功耗:2.5W
  5、開關(guān)時(shí)間:5ns至10ns
  6、掉電電流:1μA
  7、封裝形式:SOT-23

組成結(jié)構(gòu)

FDS9435AN晶體管由源極、漏極和柵極三個(gè)電極組成。其中,源極和漏極之間的通道是由P型半導(dǎo)體材料制成的,而柵極則是由金屬材料制成的。當(dāng)施加電壓到柵極時(shí),柵極和通道之間會(huì)形成一個(gè)電場(chǎng),該電場(chǎng)可以控制通道的導(dǎo)電性能,從而控制漏源電流的大小。

工作原理

FDS9435AN晶體管的工作原理可以分為兩個(gè)階段:導(dǎo)通階段和截止階段。
  1、導(dǎo)通階段
  當(dāng)施加正電壓到柵極時(shí),柵極和通道之間形成的電場(chǎng)會(huì)吸引通道中的電子,從而形成一個(gè)導(dǎo)電通道。此時(shí),漏極和源極之間的電阻值較低,即形成了一個(gè)低阻通路,電流可以從源極流向漏極。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時(shí),通道中的電子數(shù)量已經(jīng)飽和,此時(shí)漏源電流達(dá)到最大值。
  2、截止階段
  當(dāng)施加負(fù)電壓到柵極時(shí),柵極和通道之間的電場(chǎng)會(huì)被抵消,通道中的電子數(shù)量會(huì)減少,形成了一個(gè)高阻通路,漏源電流會(huì)逐漸減小,最終變?yōu)榱恪4藭r(shí),晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。

技術(shù)要點(diǎn)

1、小封裝:FDS9435AN采用SOT-23封裝,尺寸小巧,便于集成到復(fù)雜的電路板中。
  2、低電壓控制:FDS9435AN的閾值電壓為-1V至-2.5V,非常適合低電壓控制應(yīng)用,例如智能手機(jī)、平板電腦等。
  3、高速開關(guān):FDS9435AN的開關(guān)時(shí)間只有5ns至10ns,可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)操作,適合高速數(shù)據(jù)傳輸和信號(hào)處理等應(yīng)用。
  4、低功耗:FDS9435AN的掉電電流僅為1μA,可以有效降低系統(tǒng)功耗。

設(shè)計(jì)流程

1、確定工作電壓:根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景確定工作電壓范圍。
  2、選擇封裝:根據(jù)電路板尺寸和應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的封裝。
  3、確定控制方式:根據(jù)應(yīng)用需求確定控制方式,例如直流控制、脈沖控制等。
  4、計(jì)算電路參數(shù):根據(jù)應(yīng)用需求計(jì)算電路參數(shù),例如電流、電阻、電容等。
  5、選擇合適的FDS9435AN晶體管:根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的FDS9435AN晶體管,例如閾值電壓、最大漏源電壓、最大漏極電流等。
  6、進(jìn)行電路設(shè)計(jì):根據(jù)上述參數(shù)進(jìn)行電路設(shè)計(jì),包括原理圖設(shè)計(jì)和PCB設(shè)計(jì)。
  7、進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證:將設(shè)計(jì)好的電路制作成樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,檢查電路是否滿足應(yīng)用需求。

注意事項(xiàng)

1、溫度限制:FDS9435AN的最大工作溫度為150°C。在超過此溫度時(shí),晶體管可能會(huì)受到損壞。
  2、靜電放電(ESD)保護(hù):為了保護(hù)晶體管免受ESD損壞,應(yīng)在操作前注意接地。此外,還應(yīng)使用ESD保護(hù)器件。
  3、輸入電壓:FDS9435AN的最大輸入電壓為20V。在超過此電壓時(shí),晶體管可能會(huì)受到損壞。
  4、輸入電阻:為了保護(hù)晶體管,應(yīng)限制輸入電阻的大小。此外,輸入電阻應(yīng)保持電平,以避免短路或過載。

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fds9435a參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 5.3A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds528pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS9435ATR