FE252NH-LF 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件�(zhuān)為高�、高效能�(yīng)用設(shè)�(jì),能夠在高頻工作條件下提供卓越的功率�(zhuǎn)換效率和快速開(kāi)�(guān)性能�
這款芯片采用表面貼裝封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),非常適合用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及各�(lèi)需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:30mΩ(典型值)
柵極電荷�12nC(典型值)
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LFPAK88
FE252NH-LF 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:高達(dá)200V,能夠支持高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:30mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),使得開(kāi)�(guān)頻率可以�(dá)到兆赫茲�(jí)別�
4. 高效節(jié)能:在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持較低的功�,適合對(duì)效率要求較高的應(yīng)用�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適用于各種惡劣�(huán)��
6. 表面貼裝封裝:便于自�(dòng)化生�(chǎn),提高了裝配效率并降低了成本�
FE252NH-LF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的高頻功率轉(zhuǎn)換�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在電�(dòng)汽車(chē)或工�(yè)�(shè)備中�
3. �(wú)線充電系�(tǒng),支持更高效率的能量傳輸�
4. LED�(qū)�(dòng)�,實(shí)�(xiàn)精確的電流控制�
5. 光伏逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 各類(lèi)需要快速開(kāi)�(guān)及高效率的應(yīng)用場(chǎng)�,如電機(jī)�(qū)�(dòng)��
FGH252N20LAE
IPB60R099P7
GAN063-650WSA