FE252NH-LF 時(shí)間：2025/4/30 17:42:08 閱讀：34

FE252NH-LF 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），屬于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件專(zhuān)為高頻、高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠在高頻工作條件下提供卓越的功率轉(zhuǎn)換效率和快速開(kāi)關(guān)性能。
　　這款芯片采用表面貼裝封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn)，非常適合用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及各類(lèi)需要高效能量轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。

參數(shù)

類(lèi)型：增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　最大漏源電壓：200V
　　連續(xù)漏極電流：8A
　　導(dǎo)通電阻：30mΩ（典型值）
　　柵極電荷：12nC（典型值）
　　結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：LFPAK88

特性

FE252NH-LF 的主要特性包括：
　　1. 高擊穿電壓：高達(dá)200V，能夠支持高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：30mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力：由于其低柵極電荷和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使得開(kāi)關(guān)頻率可以達(dá)到兆赫茲級(jí)別。
　　4. 高效節(jié)能：在高頻開(kāi)關(guān)條件下保持較低的功耗，適合對(duì)效率要求較高的應(yīng)用。
　　5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適用于各種惡劣環(huán)境。
　　6. 表面貼裝封裝：便于自動(dòng)化生產(chǎn)，提高了裝配效率并降低了成本。

應(yīng)用

FE252NH-LF 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的高頻功率轉(zhuǎn)換。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，特別是在電動(dòng)汽車(chē)或工業(yè)設(shè)備中。
　　3. 無(wú)線充電系統(tǒng)，支持更高效率的能量傳輸。
　　4. LED驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。
　　5. 光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率管理模塊。
　　6. 各類(lèi)需要快速開(kāi)關(guān)及高效率的應(yīng)用場(chǎng)景，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。