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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FE252NH-LF

FE252NH-LF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:42:08 查看 閱讀�34

FE252NH-LF 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件�(zhuān)為高�、高效能�(yīng)用設(shè)�(jì),能夠在高頻工作條件下提供卓越的功率�(zhuǎn)換效率和快速開(kāi)�(guān)性能�
  這款芯片采用表面貼裝封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),非常適合用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及各�(lèi)需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��

參數(shù)

�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:30mΩ(典型值)
  柵極電荷�12nC(典型值)
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:LFPAK88

特�

FE252NH-LF 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá)200V,能夠支持高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:30mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損耗�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),使得開(kāi)�(guān)頻率可以�(dá)到兆赫茲�(jí)別�
  4. 高效節(jié)能:在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持較低的功�,適合對(duì)效率要求較高的應(yīng)用�
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適用于各種惡劣�(huán)��
  6. 表面貼裝封裝:便于自�(dòng)化生�(chǎn),提高了裝配效率并降低了成本�

�(yīng)�

FE252NH-LF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的高頻功率轉(zhuǎn)換�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在電�(dòng)汽車(chē)或工�(yè)�(shè)備中�
  3. �(wú)線充電系�(tǒng),支持更高效率的能量傳輸�
  4. LED�(qū)�(dòng)�,實(shí)�(xiàn)精確的電流控制�
  5. 光伏逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
  6. 各類(lèi)需要快速開(kāi)�(guān)及高效率的應(yīng)用場(chǎng)�,如電機(jī)�(qū)�(dòng)��

替代型號(hào)

FGH252N20LAE
  IPB60R099P7
  GAN063-650WSA

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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