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FEMDNN064G-A3A55 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/9 15:06:20 查看 閱讀：3

FEMDNN064G-A3A55 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于多種高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。

參數(shù)

型號(hào)：FEMDNN064G-A3A55
　　封裝形式：TO-263
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：40A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4mΩ
　　總功耗(Ptot)：160W
　　工作溫度范圍(Topr)：-55℃至+175℃

特性

FEMDNN064G-A3A55 具有出色的熱性能和電氣性能，適合用于要求嚴(yán)苛的環(huán)境。其主要特點(diǎn)包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻操作，降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 強(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力，提高了系統(tǒng)可靠性。
　　4. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)。
　　4. DC-DC轉(zhuǎn)換器。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
　　FEMDNN064G-A3A55 的高性能和可靠性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

FEMDNN064G-A3A50, FDMC6406, IRF640N

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