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FEMDNN064G-A3A55 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/9 15:06:20 查看 閱讀:3

FEMDNN064G-A3A55 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。

參數(shù)

型號(hào):FEMDNN064G-A3A55
  封裝形式:TO-263
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):40A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
  總功耗(Ptot):160W
  工作溫度范圍(Topr):-55℃至+175℃

特性

FEMDNN064G-A3A55 具有出色的熱性能和電氣性能,適合用于要求嚴(yán)苛的環(huán)境。其主要特點(diǎn)包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,降低開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 強(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)可靠性。
  4. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)。
  4. DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  5. LED驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
  FEMDNN064G-A3A55 的高性能和可靠性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

FEMDNN064G-A3A50, FDMC6406, IRF640N

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