FN18N121J500PSG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Fairchild Semiconductor生產。該器件采用N溝道增強型技術,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于多種功率轉換應用。其封裝形式為PQFN3333-18,能夠有效降低寄生電感和提高散熱性能。
該型號的設計目標是滿足現(xiàn)代電子設備對高效能、小型化和高可靠性的要求,因此在電源管理、電機驅動和負載開關等場景中表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:4.6A
導通電阻:7.9mΩ
柵極電荷:20nC
開關速度:非�?�
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝類型:PQFN3333-18
FN18N121J500PSG具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關能力,適用于高頻電路設計。
3. 小型化的PQFN封裝,節(jié)省PCB空間并改善熱傳導。
4. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
5. 優(yōu)異的靜電放電(ESD)保護能力,提升產品可靠性。
6. 符合RoHS標準,支持環(huán)保要求。
這款MOSFET適用于廣泛的電力電子應用領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC轉換器的核心功率開關元件。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關或保護開關。
4. 電機驅動電路中的功率級開關。
5. 工業(yè)自動化設備中的信號切換與功率控制。
6. 消費類電子產品中的便攜式設備電源管理解決方案。
FDMC8832
FCH24N120AB
IRLML6402