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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:36:48 查看 閱讀�147

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3PN
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 600 V
柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 60 A
封裝: Tube
配置: Single
最大工作溫�: + 150
最小工作溫�: - 55
安裝�(fēng)�: Through Hole

fga30n60lsdtu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fga30n60lsdtu參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型溝道和場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�1.4V @ 15V�30A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最�480W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3PN
  • 包裝管件
  • 其它名稱FGA30N60LSDTU-NDFGA30N60LSDTUFS