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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FGPF15N60UNDF

FGPF15N60UNDF 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 12:32:52 查看 閱讀�24

FGPF15N60UNDF 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-247 封裝。該器件具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點,適合用于開關電�、電機驅�、逆變器和其他需要高效功率轉換的應用場景�
  FGPF15N60UNDF 的設計使其能夠在高頻條件下提供優(yōu)異的性能,同時保持較低的開關損��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�15A
  導通電阻:0.18Ω
  柵極電荷�35nC
  總電容:2000pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FGPF15N60UNDF 提供了出色的電氣特性和可靠性:
  1. 高擊穿電� (600V),適用于高壓應用場景�
  2. 低導通電� (0.18Ω),有助于減少功率損耗并提高效率�
  3. 快速開關能�,能夠有效降低開關損��
  4. �(wěn)定的工作溫度范圍 (-55� � +150�),確保在極端�(huán)境下的可靠��
  5. 良好的熱性能,支持更高的功率密度和散熱管理�

應用

FGPF15N60UNDF 廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 工業(yè)電機控制和驅動系�(tǒng)�
  3. 太陽能逆變器和風能轉換系統(tǒng)�
  4. 電動� (EV) 和混合動力車 (HEV) 的功率模��
  5. UPS 不間斷電源系�(tǒng)�
  6. 各類工業(yè)自動化設備中的功率轉換電��

替代型號

FGPF15N60U, IRFP460, STP15NF60, FDP15N60

fgpf15n60undf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fgpf15n60undf參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO600 V
  • 集電極—射極飽和電�2.2 V
  • �25 C的連續(xù)集電極電�30 A
  • 功率耗散17 W
  • 封裝 / 箱體TO-220F
  • 封裝Tube
  • 安裝風格Through Hole