FHW1210HC1R8JGT 時間：2025/4/28 15:57:16 閱讀：28

FHW1210HC1R8JGT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管，專為高效率、高頻開關(guān)應用設(shè)計。它采用DFN封裝形式，能夠滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型化和高效能的需求。
　　該器件主要應用于電源管理領(lǐng)域，包括但不限于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電解決方案等。其突出的性能優(yōu)勢來源于先進的GaN材料特性，可顯著降低開關(guān)損耗并提升工作頻率。

參數(shù)

型號：FHW1210HC1R8JGT
　　封裝：DFN5x6
　　額定電壓：650V
　　導通電阻：1.8mΩ
　　最大電流：75A
　　柵極電荷：43nC
　　反向恢復時間：無（因GaN無反向恢復問題）
　　工作溫度范圍：-55℃ to +150℃

特性

FHW1210HC1R8JGT 具有以下特點：
　　1. 超低導通電阻（1.8mΩ），有效減少傳導損耗。
　　2. 高擊穿電壓能力（650V），適合各種高壓應用場景。
　　3. 極小的柵極電荷和輸出電荷，確保快速開關(guān)切換及低開關(guān)損耗。
　　4. 沒有傳統(tǒng)硅基MOSFET中的體二極管反向恢復問題，進一步優(yōu)化系統(tǒng)效率。
　　5. 緊湊型DFN封裝，節(jié)省PCB空間同時改善熱性能。
　　6. 工作溫度范圍寬廣，適應極端環(huán)境條件下的使用需求。

應用

此款GaN功率晶體1. 開關(guān)電源(SMPS)，如筆記本適配器、服務器電源等。
　　2. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器，在新能源汽車充電樁或通信基站中常見。
　　3. 快速充電器，提供更短的充電時間和更高的能量利用率。
　　4. LED驅(qū)動電路，實現(xiàn)精確控制與節(jié)能效果。
　　5. 光伏逆變器和其他工業(yè)級電源管理系統(tǒng)。