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FHW1210HC1R8JGT 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 15:57:16 查看 閱讀:28

FHW1210HC1R8JGT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管,專為高效率、高頻開關(guān)應用設(shè)計。它采用DFN封裝形式,能夠滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型化和高效能的需求。
  該器件主要應用于電源管理領(lǐng)域,包括但不限于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電解決方案等。其突出的性能優(yōu)勢來源于先進的GaN材料特性,可顯著降低開關(guān)損耗并提升工作頻率。

參數(shù)

型號:FHW1210HC1R8JGT
  封裝:DFN5x6
  額定電壓:650V
  導通電阻:1.8mΩ
  最大電流:75A
  柵極電荷:43nC
  反向恢復時間:無(因GaN無反向恢復問題)
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃

特性

FHW1210HC1R8JGT 具有以下特點:
  1. 超低導通電阻(1.8mΩ),有效減少傳導損耗。
  2. 高擊穿電壓能力(650V),適合各種高壓應用場景。
  3. 極小的柵極電荷和輸出電荷,確保快速開關(guān)切換及低開關(guān)損耗。
  4. 沒有傳統(tǒng)硅基MOSFET中的體二極管反向恢復問題,進一步優(yōu)化系統(tǒng)效率。
  5. 緊湊型DFN封裝,節(jié)省PCB空間同時改善熱性能。
  6. 工作溫度范圍寬廣,適應極端環(huán)境條件下的使用需求。

應用

此款GaN功率晶體1. 開關(guān)電源(SMPS),如筆記本適配器、服務器電源等。
  2. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器,在新能源汽車充電樁或通信基站中常見。
  3. 快速充電器,提供更短的充電時間和更高的能量利用率。
  4. LED驅(qū)動電路,實現(xiàn)精確控制與節(jié)能效果。
  5. 光伏逆變器和其他工業(yè)級電源管理系統(tǒng)。

替代型號

FHW1210HC2R0JGT
  FHW1210HC1R4JGT

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