時間�2025/5/26 11:27:52
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FHW1210HCR18JGT 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效功率開關器件，采用超小型DFN封裝形式。它專為高頻開關應用而設�，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效率、高功率密度的電力電子系�(tǒng)�
該芯片結合了先進的材料特性和�(yōu)化的電路設計，能夠顯著提升電源轉換效率并減小整體解決方案尺寸�
型號：FHW1210HCR18JGT
類型：GaN 功率晶體�
封裝：DFN-8 (1.75mm x 1.65mm)
額定電壓�650V
額定電流�9A
導通電阻：18mΩ（典型�，@25°C�
柵極驅動電壓�6V/12V
最大工作結溫：175°C
反向恢復電荷�3nC（典型值）
開關頻率范圍：高�5MHz
FHW1210HCR18JGT 具備卓越的電氣性能和可靠性：
1. 極低的導通電阻和開關損�，適合高頻應��
2. 內置保護功能，包括過流保護和短路保護�
3. 高度集成的設計減少了外圍元件的數(shù)量，從而簡化了電路設計�
4. GaN 技術提供了比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 更高的效率和更快的開關速度�
5. 超緊湊的封裝有助于實�(xiàn)更小尺寸的電源模��
6. 可靠性經過嚴格測�，滿足工�(yè)級標��
這款 GaN 功率晶體管廣泛應用于各種高性能電力電子領域�
1. 開關電源（SMPS�，特別是筆記本適配器和快充設��
2. DC-DC 轉換�，用于數(shù)�(jù)中心及通信電源系統(tǒng)�
3. 無線充電�(fā)射端與接收端�
4. 汽車電子中的 DC-DC 轉換和車載充電器�
5. 工業(yè)電機驅動和光伏逆變器�
6. 激光雷達（LiDAR）和其他需要高速開關的應用場景�
FHW1210HCR16JGT
FHW1210HCR20JGT
GAN042-650WSA
TPG1302-65DS
