FHW1210IF5R6JST 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,屬于高性能場效應晶體管(FET)系列。該器件采用先進的封裝工藝和材�,具有出色的開關(guān)特性和導通性能,廣泛應用于高頻電源�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、通信設備及工�(yè)自動化等�(lǐng)域�
這款芯片在設計上注重提升效率和降低功�,特別適合需要高頻率運行或緊湊型解決方案的應用場��
型號:FHW1210IF5R6JST
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650 V
額定電流�30 A
導通電阻:5.6 mΩ
柵極電荷�45 nC
最大工作溫度范圍:-55 � � 175 �
封裝形式:TO-247-4L
輸入電容�1280 pF
反向恢復時間:無(因 GaN 特性)
FHW1210IF5R6JST 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(5.6 mΩ�,能夠顯著減少導通損��
2. 快速開�(guān)速度,支持高� 5 MHz 的工作頻�,適用于高頻應用�
3. 無反向恢復電荷,相比傳統(tǒng) Si 器件更加高效�
4. 高耐壓能力�650 V),能夠在嚴苛環(huán)境下�(wěn)定運��
5. 小型化封裝(TO-247-4L�,簡� PCB 設計并節(jié)省空��
6. 支持零電壓開�(guān)(ZVS)拓撲結(jié)�(gòu),進一步提高系�(tǒng)效率�
7. 具備�(yōu)異的熱性能,可承受高達 175 � 的結(jié)溫�
FHW1210IF5R6JST 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源(SMPS�
3. 電動汽車充電設備
4. 工業(yè)電機�(qū)�
5. 太陽能逆變�
6. �(shù)�(jù)中心電源模塊
7. 通信基站電源
其高頻和高效特性使其成為現(xiàn)代電力電子設計的理想選擇�
FHW1210IF6R5JST
FHW1210IF7R0JST
GAN063-650WSA