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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FJV4103RMTF

FJV4103RMTF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:12:45 查看 閱讀�25

FJV4103RMTF是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有出色的開(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻,適用于無(wú)線通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及射頻功率放大器等�(yīng)用場(chǎng)��
  其封裝形式為芯片�(jí)封裝(CSP),有助于減少寄生效�(yīng)并提升整體效��

參數(shù)

型號(hào):FJV4103RMTF
  類型:GaN HEMT
  工作頻率范圍�30MHz - 4GHz
  輸出功率�50W
  增益�12dB(典型值)
  漏源電壓Vds�100V
  柵源電壓Vgs�-8V�+6V
  �(dǎo)通電阻Rdson�0.5Ω
  最大結(jié)溫:200°C
  封裝形式:CSP

特�

FJV4103RMTF采用先�(jìn)的氮化鎵半導(dǎo)體材�,提供卓越的高頻特性和高功率密�。與傳統(tǒng)硅基晶體管相比,其開(kāi)�(guān)速度更快,熱性能更佳,能夠顯著提高系�(tǒng)的效��
  此外,該器件具備良好的線性度和穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的運(yùn)行。由于采用了CSP封裝技�(shù),�(jìn)一步降低了寄生電感和電�,提升了射頻性能�
  其主要優(yōu)�(shì)包括�
  - 高效的功率轉(zhuǎn)換能�
  - 極低的導(dǎo)通電�
  - 出色的散熱管�
  - 高可靠性及耐用�
  這些特點(diǎn)使得FJV4103RMTF非常適合于要求嚴(yán)苛的射頻和微波應(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

FJV4103RMTF廣泛�(yīng)用于各種高頻和高功率�(chǎng)景中,具體包括:
  - 射頻功率放大�
  - �(wú)線通信基站
  - 雷達(dá)系統(tǒng)
  - �(wèi)星通信�(shè)�
  - �(yī)療成像儀�
  - 工業(yè)加熱�(shè)�
  此外,它還可用作高效電源�(zhuǎn)換中的核心組�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器或逆變器中的開(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

FJV4102RMTF
  FJV4104RMTF
  FJH4103RMTF

fjv4103rmtf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fjv4103rmtf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)56 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 頻率 - �(zhuǎn)�200MHz
  • 功率 - 最�200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)