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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FK20X331K502EFQ

FK20X331K502EFQ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 2:56:54 查看 閱讀�19

FK20X331K502EFQ 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
  該芯片為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式通常為緊湊型表面貼裝器件(SMD),適合高密度電路板�(shè)�(jì)。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),F(xiàn)K20X331K502EFQ 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損�,并具備良好的抗電磁干擾能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷�35nC
  輸入電容�1200pF
  開關(guān)速度�10ns
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻使得器件在高電流應(yīng)用中擁有更少的功率損耗�
  2. 高速開�(guān)性能確保了在高頻條件下的高效�(yùn)��
  3. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定性設(shè)�(jì)允許更高的結(jié)溫操作,從而提高系�(tǒng)可靠��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的抗靜電能力�
  5. 緊湊型封裝減少了 PCB 占用面積,同�(shí)增強(qiáng)了散熱效��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 電動(dòng)汽車及電�(dòng)工具中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�