時間：2025/5/23 2:56:30
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FM55X224K631EFG 是一款由富滿微電子（Fullchip Microelectronics）推出的高速、低功耗 SRAM 存儲芯片。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備高性能和高可靠性特點(diǎn)，適用于需要快速數(shù)據(jù)存取的應(yīng)用場景。
這款 SRAM 芯片具有靜態(tài)存儲功能，無需刷新操作即可保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性，非常適合對實(shí)時性和穩(wěn)定性要求較高的系統(tǒng)設(shè)計。
類型：SRAM
容量：2M x 8 bits (16Mb)
工作電壓(Vcc)：1.7V 至 1.9V
接口類型：同步接口
訪問時間：5.5ns（最大值）
數(shù)據(jù)保留時間：無限期（在規(guī)定的工作條件下）
封裝形式：FBGA-63
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
引腳數(shù)：63
FM55X224K631EFG 具備以下顯著特性：
1. 高速運(yùn)行能力：支持高達(dá) 180MHz 的時鐘頻率，確保了快速的數(shù)據(jù)吞吐。
2. 低功耗設(shè)計：待機(jī)模式下功耗極低，有助于延長便攜式設(shè)備的電池壽命。
3. 靜態(tài)存儲：無需動態(tài)刷新機(jī)制，簡化了系統(tǒng)設(shè)計并提高了數(shù)據(jù)的可靠性。
4. 同步接口：與現(xiàn)代處理器和控制器兼容，便于集成到各種嵌入式系統(tǒng)中。
5. 寬工作電壓范圍：支持 1.7V 至 1.9V 的低電壓操作，滿足低功耗應(yīng)用需求。
6. 高密度封裝：采用 FBGA-63 封裝，節(jié)省 PCB 空間，適合小型化設(shè)計。
FM55X224K631EFG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)自動化控制：用于實(shí)時數(shù)據(jù)采集和處理，保障工業(yè)設(shè)備高效穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：如數(shù)碼相機(jī)、打印機(jī)緩沖區(qū)等，提供快速存儲和讀取功能。
3. 通信設(shè)備：在網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)等中用作緩存或臨時存儲。
4. 嵌入式系統(tǒng)：作為主處理器的外部存儲器擴(kuò)展，提升系統(tǒng)性能。
5. 醫(yī)療設(shè)備：例如監(jiān)護(hù)儀、超聲波設(shè)備中的圖像處理模塊，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性和及時性。
FM55V224K631EFG
IS61WV2048BLL-10TI
CY62256FV30LL
