型號(hào)：FM55X474K501EFG
　　類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　耐壓：55V
　　最大漏極電流：96A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.8mΩ
　　柵極電荷：78nC
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247-3L

FM55X474K501EFG 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度，支持高頻操作，適用于現(xiàn)代高效的開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
　　3. 高額定電流能力，使其能夠在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 寬廣的工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的可靠性。
　　5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，提升了產(chǎn)品的抗靜電能力。
　　6. 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足全球市場(chǎng)對(duì)綠色電子產(chǎn)品的需求。

該芯片可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，特別是同步整流和降壓/升壓電路。
　　3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)。
　　5. 大功率LED驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)元件。
　　6. 其他需要高效能功率控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

FM55X474K501EFH, IRF540N, FDP55N50