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FM55X474K501EFG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 15:01:23 查看 閱讀:17

FM55X474K501EFG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效率電力電子系統(tǒng)中。該芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著降低系統(tǒng)的功耗并提升整體效率。
  這款器件特別適合于需要高效能和高可靠性的工業(yè)級(jí)應(yīng)用環(huán)境,其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)型,便于設(shè)計(jì)和安裝。

參數(shù)

型號(hào):FM55X474K501EFG
  類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  耐壓:55V
  最大漏極電流:96A
  導(dǎo)通電阻(典型值):2.8mΩ
  柵極電荷:78nC
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247-3L

特性

FM55X474K501EFG 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,支持高頻操作,適用于現(xiàn)代高效的開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  3. 高額定電流能力,使其能夠在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 寬廣的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠性。
  5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了產(chǎn)品的抗靜電能力。
  6. 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足全球市場(chǎng)對(duì)綠色電子產(chǎn)品的需求。

應(yīng)用

該芯片可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是同步整流和降壓/升壓電路。
  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)。
  5. 大功率LED驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)元件。
  6. 其他需要高效能功率控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

FM55X474K501EFH, IRF540N, FDP55N50

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