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時(shí)間：2025/5/24 19:24:18
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FN15N8R2D500PNG是一種高壓功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高電壓和高效能的電力電子應(yīng)用。該器件采用N溝道技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)效率。
FN15N8R2D500PNG以其卓越的電氣性能和可靠性，在高電壓場景中表現(xiàn)出色，適合用于工業(yè)控制、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及新能源領(lǐng)域。
型號(hào)：FN15N8R2D500PNG
類型：N溝道 MOSFET
Vds（漏源極擊穿電壓）：800V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：1.5Ω
Id（持續(xù)漏極電流）：15A
Qg（柵極電荷）：45nC
EAS（雪崩能量）：3.5J
封裝形式：TO-247
FN15N8R2D500PNG具備以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，可承受高達(dá)800V的漏源極電壓，適用于各種高電壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻，典型值為1.5Ω，在大電流工作條件下可以顯著降低功耗。
3. 快速開關(guān)速度，柵極電荷小，有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
4. 強(qiáng)大的雪崩能量耐受能力，確保在異常情況下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 工作溫度范圍寬廣，能夠在-55°C至+175°C之間正常工作，適應(yīng)惡劣環(huán)境。
6. 封裝為標(biāo)準(zhǔn)TO-247，便于安裝和散熱設(shè)計(jì)。
FN15N8R2D500PNG廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS），如適配器、充電器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)，用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)控制。
3. 逆變器，應(yīng)用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)和其他可再生能源領(lǐng)域。
4. 不間斷電源（UPS），提供可靠的備用電源支持。
5. 各種工業(yè)控制系統(tǒng)，要求高可靠性和高效率的電力轉(zhuǎn)換解決方案。
IRFP460, STP15NM80Z, FDP15N80E
