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GA1210A821KXLAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 15:07:52 查看 閱讀:17

GA1210A821KXLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提高整體性能。
  這款器件適用于需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、負(fù)載開關(guān)等。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)計(jì)中使用。

參數(shù)

型號(hào):GA1210A821KXLAR31G
  類型:N-Channel Power MOSFET
  額定電壓(Vds):60V
  額定電流(Id):45A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):70nC
  最大工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  功耗:約 2W(典型值)
  漏源擊穿電壓:60V

特性

GA1210A821KXLAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 4.5mΩ,可有效減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 高速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 具備良好的熱性能,在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了芯片的可靠性。
  5. 小型化封裝設(shè)計(jì),適合緊湊型 PCB 布局。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無害。
  7. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),提高了生產(chǎn)自動(dòng)化水平。
  8. 穩(wěn)定的電氣性能,確保長時(shí)間使用中的可靠性。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supplies)
  2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC Converters)
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載控制
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
  7. LED 驅(qū)動(dòng)電路
  8. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元

替代型號(hào)

GA1210A821KXLA, IRF540N, FDP060N06L

ga1210a821kxlar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-