GA1210A821KXLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提高整體性能。
這款器件適用于需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、負(fù)載開關(guān)等。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)計(jì)中使用。
型號(hào):GA1210A821KXLAR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
額定電壓(Vds):60V
額定電流(Id):45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷(Qg):70nC
最大工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
功耗:約 2W(典型值)
漏源擊穿電壓:60V
GA1210A821KXLAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 4.5mΩ,可有效減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 具備良好的熱性能,在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了芯片的可靠性。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),適合緊湊型 PCB 布局。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無害。
7. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),提高了生產(chǎn)自動(dòng)化水平。
8. 穩(wěn)定的電氣性能,確保長時(shí)間使用中的可靠性。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supplies)
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC Converters)
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載控制
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
7. LED 驅(qū)動(dòng)電路
8. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元
GA1210A821KXLA, IRF540N, FDP060N06L