FN21N221J500PAG是一款高性能的N溝道MOSFET功率晶體�,適用于多種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為PAG(塑封表面貼裝),適合自�(dòng)化生�(chǎn)�(huán)��
該MOSFET的主要特�(diǎn)是能夠在高頻條件下提供高效的功率�(zhuǎn)�,并且在汽車電子、工�(yè)控制以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)��
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:3.5Ω
柵極電荷�65nC
總電容:38pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
FN21N221J500PAG具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,支持高�(dá)500V的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
2. 極低的導(dǎo)通電�,能夠減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)性能,得益于低柵極電荷設(shè)�(jì),適合高頻操��
4. 良好的熱�(wěn)定�,在極端溫度范圍�(nèi)仍能保持可靠�(yùn)行�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路板��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材料使��
該型號的MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 汽車電子系統(tǒng),如電機(jī)�(qū)�(dòng)和照明控��
4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�(shè)�(jì)�
6. 各種逆變器和變頻器產(chǎn)��
IRF540N
STP16NF50
FDP120N50S
IXYS IXTH12N50P