FN21N223J500ECG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動等場景�
這款芯片的主要特點是其優(yōu)化的動態(tài)性能,能夠有效降低開�(guān)損�,同時提供可靠的保護(hù)功能,包括過流保�(hù)和熱�(guān)斷機(jī)制,確保在各種工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
型號:FN21N223J500ECG
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�223V
額定電流�50A
�(dǎo)通電阻:2.1mΩ
柵極電荷�160nC
最大功耗:150W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至+175�
FN21N223J500ECG的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣性能和可靠性。首�,該器件具有非常低的�(dǎo)通電阻(�2.1mΩ�,這顯著降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率。其�,其快速開�(guān)能力得益于較小的柵極電荷值(160nC),使得它非常適合高頻應(yīng)用場�。此外,該器件能夠在高達(dá)223V的工作電壓下可靠�(yùn)�,并支持50A的連續(xù)電流,展�(xiàn)了強(qiáng)大的功率處理能力�
為了提高系統(tǒng)的安全�,F(xiàn)N21N223J500ECG�(nèi)置了多種保護(hù)�(jī)�,如過流保護(hù)和熱�(guān)斷功�。這些特性可以防止因異常操作�(dǎo)致的損壞,延長器件的使用壽命。同�,其寬泛的工作溫度范圍(�-55℃到+175℃)使其適應(yīng)于極端環(huán)境條件下的應(yīng)�,例如工�(yè)控制或汽車電子領(lǐng)域�
另外,該�(chǎn)品采用標(biāo)�(zhǔn)的TO-247封裝,這種封裝方式不僅提供了良好的散熱性能,還便于與其他電路組件集��
FN21N223J500ECG適用于廣泛的電力電子�(yīng)�,主要包括以下幾個方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS):由于其高效的開關(guān)特性和低損�,這款MOSFET非常適合用于開關(guān)電源的設(shè)�,以實現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更小的體��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合,如電動汽車充電系統(tǒng)或通信�(shè)備中的電源模�,F(xiàn)N21N223J500ECG可以�(fā)揮重要作用�
3. 電機(jī)�(qū)動:憑借其大電流承載能力和快速開�(guān)速度,該器件可用于驅(qū)動各種類型的電機(jī),包括步�(jìn)電機(jī)和無刷直流電�(jī)�
4. 工業(yè)自動化:在工�(yè)控制系統(tǒng)�,如變頻器和伺服�(qū)動器,這款MOSFET可提供穩(wěn)定且高效的功率輸出�
5. 新能源領(lǐng)域:在太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�,F(xiàn)N21N223J500ECG有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率并減少熱量�(chǎn)��
IRFP260N, FQP50N06L, STP55NF06